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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實(shí)現低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
- 關(guān)鍵字： SiC GaN ROHM
ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結構，成功
- 關(guān)鍵字： ROHM 150V GaN HEMT
半導體一周要聞3.7-3.11
- 1. 提前預定五年產(chǎn)能，全球半導體硅片進(jìn)入黃金期！根據SEMI發(fā)布的數據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長(cháng)了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長(cháng)江存儲和武漢新芯等客戶(hù)，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長(cháng)期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬(wàn)元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷(xiāo)售額首
- 關(guān)鍵字： 半導體 GaN 芯片 產(chǎn)能
ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(cháng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
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安森美剝離晶圓制造廠(chǎng)達成最終協(xié)議改善成本結構
- 安森美（onsemi）正在執行其fab-liter制造戰略，最終目標是透過(guò)擴大毛利率實(shí)現可持續的財務(wù)業(yè)績(jì)。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠(chǎng)。隨著(zhù)將生產(chǎn)轉移到其全球制造網(wǎng)絡(luò )內更高效的晶圓廠(chǎng)，安森美將透過(guò)消除與已出售晶圓廠(chǎng)相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來(lái)改善成本結構。安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時(shí)為我們的客戶(hù)提供長(cháng)期的供應保證。這些交易為受影響工廠(chǎng)的員工提供了持續的就業(yè)和發(fā)展機
- 關(guān)鍵字： 安森美 晶圓制造廠(chǎng) GaN
基于GaN的高功率密度快充正快速成長(cháng)
- 1? ?看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(cháng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機驅動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達等，其中快充會(huì )繼續引領(lǐng)氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的市場(chǎng)成長(cháng)。相對于硅
- 關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌
GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(cháng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規的Si（硅）和熱門(mén)的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類(lèi)GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專(zhuān)利的GaNSense?技術(shù)。值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界的記者采訪(fǎng)了銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發(fā)總監徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘
- 關(guān)鍵字： GaN 集成 202201
蘋(píng)果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器
- 10月19日消息，據The Verge報道，蘋(píng)果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?！ ∨c傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率?！ 〈送?，蘋(píng)果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著(zhù)該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?！ ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線(xiàn)現已在蘋(píng)果中國官網(wǎng)上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉MagSa
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 電源適配器 GaN 充電器
InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時(shí)還能顯著(zhù)減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
- 關(guān)鍵字： PI InnoSwitch?3-PD GaN
集邦咨詢(xún)：新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高，預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元，年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
- 關(guān)鍵字： 新能源車(chē) GaN 功率元件
ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
- 關(guān)鍵字： ST Exagan GaN
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