電源設計，進(jìn)無(wú)止境
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電源管理的前沿趨勢
我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術(shù)，從而為您的應用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(cháng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。
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1 功率密度：提高功率密度以在更小的空間內實(shí)現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能 | 2 低 IQ：在不影響系統性能的同時(shí)，降低靜態(tài)電流以延長(cháng)電池壽命和貨架壽命 |
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低噪聲和高精度：增強功率和信號完整性，以提高系統級保護 | |
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5 隔離：通過(guò)高壓隔離柵傳輸信號和/或電力，以提高較高工作電壓下的安全性和可靠性 | |
功率密度
在更小的空間內實(shí)現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能
隨著(zhù)人們對電源的要求越來(lái)越多，電路板面積和厚度日益成為限制因素。電源設計人員必須向其應用中集成更多的電路，才能實(shí)現產(chǎn)品的差異化，并提高效率和增強熱性能。使用 TI 的先進(jìn)工藝、封裝和電路設計技術(shù)，現能以更小的外形尺寸實(shí)現更高的功率等級。
器件產(chǎn)熱更少
? 業(yè)內先進(jìn)的電源處理節點(diǎn)電壓小于 100V
? 600V 氮化鎵 (GaN) 器件可提供出色的開(kāi)關(guān)性能比較效率提升對溫升影響的熱圖像。
比較效率提升對溫升影響的熱圖像。
散熱型封裝
? HotRod? 封裝
? 支持散熱墊的增強型 HotRod QFN 封裝
HotRodTM 封裝不僅省去了 接合線(xiàn)，還能保持出色的熱性能。
拓撲和電路支持更小的無(wú)源組件
? 多級轉換器拓撲
? 先進(jìn)的功率級柵極驅動(dòng)器支持更小磁性元件的多級拓撲。
支持更小磁性元件的多級拓撲。
通過(guò)集成，可最大限度地減小寄生效應并減少系統占用空間
? MicroSiP 3D 模塊集成
? 具有低環(huán)路電感的 GaN 和驅動(dòng)器多芯片模塊(MCM)
MicroSiP 封裝支持 3D 集成。
功率密度的關(guān)鍵產(chǎn)品分類(lèi)：電池充電器IC，降壓-升壓和反相穩壓器，氮化鎵（GaN）IC，隔離偏置電源，隔離柵極驅動(dòng)器，LED驅動(dòng)器，線(xiàn)性穩壓器（LDO），多通道 IC（PMIC），離線(xiàn)和隔離DC / DC控制器 與轉換器，電源開(kāi)關(guān)，降壓型穩壓器，升壓型穩壓器，USB Type-C和USB Power Delivery IC
GaN + 柵極驅動(dòng)器 MCM 可減小寄生效應，并提高功率密度 。
低靜態(tài)電流 (IQ)
在不影響系統性能的同時(shí)，延長(cháng)電池壽命和存儲時(shí)間
在電池供電的系統中，為了在空載或輕負載條件下實(shí)現高效率，需要電源解決方案在保持超低供 電電流的同時(shí)，對輸出進(jìn)行嚴格調節。借助 TI 的超低 IQ 技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可在下一個(gè)設計中實(shí)現低功耗，并最大限度地延長(cháng)電池運行時(shí)間。
低待機功耗
● 使用超低泄漏元件和新型控制拓撲，延長(cháng)電池運行時(shí)間
快速喚醒和低待機功耗。
快速響應時(shí)間
● 通過(guò)快速喚醒電路和自適應偏置增強系統功能，以提高動(dòng)態(tài)響應時(shí)間，同時(shí)保持超低的靜態(tài)功耗
與同類(lèi)產(chǎn)品相比，TI 產(chǎn)品具有超低的 IQ 和出色的瞬態(tài)響應。
需要低 IQ 特性的主要產(chǎn)品類(lèi)別：電池充電器 IC、降壓/升壓和反相穩壓器、線(xiàn)性穩壓器 (LDO)、電源開(kāi)關(guān)、串聯(lián)電壓基準、并聯(lián)電壓基準、降壓穩壓器、升壓穩壓器、監控器和復位 IC
S外形小巧
● 借助 TI 的專(zhuān)利電路技術(shù)，可實(shí)現支持應用的裸片和封裝尺寸，且不會(huì )影響靜態(tài)功耗
不影響 IQ 的超小型封裝。
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