gan system 文章進(jìn)入gan system技術(shù)社區

無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機涌現

　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
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松下：力推阻容元件與開(kāi)發(fā)工具，開(kāi)關(guān)器件X-GaN效率更高

　　松下被動(dòng)元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門(mén)被動(dòng)元件團隊產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問(wèn)世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！　K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類(lèi)型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車(chē)、電力電子、電信等場(chǎng)合?！　∷上录瘓F汽車(chē)&工業(yè)系統公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
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基于凌華科技與System Generator的GPS快速捕獲算法的實(shí)現與驗證

作者劉恩曉，男，1983.08生人，現為哈爾濱工業(yè)大學(xué)通信技術(shù)研究所博士生在讀，主要研究方向為衛星導航接收機及其抗干擾技術(shù)研究應用領(lǐng)域導航接收機關(guān)鍵算法的硬件實(shí)現挑戰目前在GPS接收機中，對碼的捕獲一般有兩種方
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半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應用空間。隨著(zhù)時(shí)間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設備的快速充電適配器、無(wú)線(xiàn)充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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RIGOL示波器“comparo”彰顯出Smarter System之先進(jìn)

眾多的產(chǎn)品正向更智能方向發(fā)展，我們必須充分利用All Programmable世界所提供的各種資源，以便在競爭中占得先機。這個(gè)道理是我在一次不經(jīng)意的經(jīng)歷中所悟出的。在Dave Jones EEVblog的一個(gè)最新視頻中，將普源精電公
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如何應對GaN測量挑戰

功耗是當今電子設計以及測試中最熱門(mén)也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
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中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶(hù)東莞

　　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南方基地”)正式落戶(hù)東莞。9月30日，中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )在東莞召開(kāi)。國家科技部原副部長(cháng)、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì )主任曹健林，廣東省副省長(cháng)袁寶成、省科技廳廳長(cháng)黃寧生，市委副書(shū)記、市長(cháng)梁維東，國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟理事長(cháng)吳玲等領(lǐng)導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )并見(jiàn)證簽約儀式。　　副市長(cháng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì )主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現半導體產(chǎn)業(yè)化提
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Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰局 GaN應用成長(cháng)可期

　　隨著(zhù)去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動(dòng)作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。　　　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過(guò)臺積電以六寸晶圓廠(chǎng)的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì )后接受CTIMES采訪(fǎng)時(shí)表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動(dòng)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng )新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
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GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進(jìn)，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著(zhù)一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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諾貝爾獎后日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都是
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諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都
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我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時(shí)

當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權。
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臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。　　臺積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型：(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。　　其中，耐壓650V的常關(guān)
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