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MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來(lái)的發(fā)展趨勢

　　MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶(hù)提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值，致力于構筑更加美好的世界。　　在基礎設施的建設領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò )得以向企業(yè)、家庭和數據中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量，讓數百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。　　日前在上海舉辦的EDICON展會(huì )上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)續航里程達到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng)，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應用

　　相較于過(guò)去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實(shí)現更高的效率。　　電源供應設計　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設計至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統上功率密度限制。基于數十年的電源測試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗，TI針對GaN進(jìn)行了數百萬(wàn)小時(shí)的加速測試，并建立了能夠實(shí)現基于GaN電源設計的生態(tài)系統。　　GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng)，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節點(diǎn)，使用200毫米(和
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電源設計控必須了解的2017三大趨勢

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來(lái)e星球，與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng )新的源泉，無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現象。抓住了用戶(hù)需求，潛在的創(chuàng )新動(dòng)力才會(huì )被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng )新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng )新著(zhù)力點(diǎn)在哪?帶著(zhù)疑問(wèn)與期盼請來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國內外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢，
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下一波功率轉換浪潮—專(zhuān)為實(shí)現太陽(yáng)能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

　　引言　　太陽(yáng)能不再是一項新興技術(shù)，而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù)，日趨成熟。我們朝著(zhù)電網(wǎng)平價(jià)(太陽(yáng)能成本與傳統能源發(fā)電類(lèi)型的成本相當)，并且改進(jìn)傳統能源發(fā)電類(lèi)型構成的目標前進(jìn)，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過(guò)程變得更加高效且經(jīng)濟實(shí)惠?！　〉?，雖然太陽(yáng)能面板在近幾年價(jià)格顯著(zhù)降低，但下一波太陽(yáng)能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復雜的多級功率開(kāi)關(guān)拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實(shí)現更加快速的功率開(kāi)關(guān)，與傳統系
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日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

　　日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據世界最高份額。若做到現有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢地位。　　功率半導體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？

　　通信、汽車(chē)驅動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)，國有品牌競爭力提升　　市場(chǎng)規模繼續擴大，增速較2015年有所回升　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場(chǎng)規模持續擴大，市場(chǎng)規模預計達到1496.1億元，同比增長(cháng)7.2%，增速較2015年有所回升。　　通信、汽車(chē)成為2016年市場(chǎng)增長(cháng)亮點(diǎn) 　　從下游應用產(chǎn)品的需求來(lái)看，通信和汽車(chē)領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看，1-10月，我國生產(chǎn)手機17億部，同比增長(cháng)19.9%，其中智能手機12
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技術(shù)路線(xiàn)圖指導做強中國功率半導體

在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導體已經(jīng)成為建設節約型社會(huì )、促進(jìn)國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展戰略的重要支撐。
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

　　充電和電池管理對智能手機來(lái)說(shuō)，仍是關(guān)鍵的功能，未來(lái)多年將持續有創(chuàng )新。有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)充電的改進(jìn)可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專(zhuān)注于這兩大應用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿(mǎn)足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌?chǎng)對于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統半導體器件不可行的地步。新一代系統將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統M
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無(wú)線(xiàn)基站中的應用

　　MACOM GaN在無(wú)線(xiàn)基站中的應用　　用于無(wú)線(xiàn)基礎設施的半導體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對無(wú)線(xiàn)基站的系統性能和運營(yíng)成本產(chǎn)生深遠的影響。氮化鎵顯而易見(jiàn)的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(cháng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高，但是MACOM公司
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