<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gan system

AI版“雙手互搏”有多牛?

  • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò )如何?與我們此前耳熟能詳的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )有什么區別?能夠應用在人工智能的哪些場(chǎng)景?還有哪些關(guān)鍵問(wèn)題有待攻克?
  • 關(guān)鍵字: AI  GAN  

GaN是5G最好選擇 手機端應用現實(shí)嗎?

  •   超密集組網(wǎng)通過(guò)增加基站部署密度,可實(shí)現頻率復用效率的巨大提升,并且帶來(lái)可觀(guān)的容量增長(cháng),未來(lái)隨著(zhù)基站數量的增加,基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測,射頻前端的市場(chǎng)規模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測,全球小基站市場(chǎng)空間有望在2020年超過(guò)60億美元。   Qorvo亞太區FAE高級經(jīng)理楊嘉   有業(yè)內分析師就表示,3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS,同時(shí),GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò )的需求增長(cháng)中受益。Qorvo亞太區FA
  • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

  •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會(huì )吸引了數萬(wàn)名電子行業(yè)的觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)學(xué)習。而全球先進(jìn)的元件分銷(xiāo)商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類(lèi)的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、新能源汽車(chē)、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

新工廠(chǎng),新起點(diǎn):安世半導體駛入快車(chē)道!

  •   2018年3月6日,Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠(chǎng)正式投產(chǎn),該工廠(chǎng)將重點(diǎn)解決產(chǎn)能問(wèn)題,用于支持Nexperia后續業(yè)務(wù)發(fā)展規劃。   【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠(chǎng)】   據Nexperia首席運營(yíng)官Sean Hunkler介紹,新工廠(chǎng)投產(chǎn)之后,Nexperia全年總產(chǎn)量將超過(guò)1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外,還提供安世半導體(中國)有限公司開(kāi)發(fā)的最新封裝,包括
  • 關(guān)鍵字: 安世  GaN  

TI推出業(yè)內最小、最快的GaN驅動(dòng)器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

  •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應晶體管(FET)驅動(dòng)器,進(jìn)一步擴展了其業(yè)內領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò )追蹤等速度關(guān)鍵應用中實(shí)現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率,并可實(shí)現以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
  • 關(guān)鍵字: TI  GaN  

2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

  •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術(shù)相結合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實(shí)現經(jīng)濟的爆發(fā)式增長(cháng)。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
  • 關(guān)鍵字: 機器學(xué)習  GAN  

氮化鎵襯底晶片實(shí)現“中國造”

  •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(cháng)壽命的器件,是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會(huì )游泳的時(shí)候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長(cháng)的設備開(kāi)始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

宜普電源轉換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線(xiàn)電源及高分辨率激光雷達應用

  •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現兩種改變業(yè)界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無(wú)線(xiàn)充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達應用?! PC將在A(yíng)irFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線(xiàn)充電系統,可以在桌面上任何位置對多種設備同時(shí)充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
  • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

制造能耗變革從新一代半導體開(kāi)始

  •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō),而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國第二個(gè)創(chuàng )新研究院“美國電力創(chuàng )新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng )新中心。      圖1:整體的能源轉換效率約在38
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  •   未來(lái)五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現狀。這不僅是針對智能手機市場(chǎng),還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機遇。   未來(lái)幾年,據Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著(zhù)電信基站升級和小型基站部署的需求增長(cháng),RF功率市場(chǎng)將獲得強勁增長(cháng)。2016~2022年期間,整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或將增長(cháng)75%,帶來(lái)9.8%的復合年增長(cháng)率。這意味著(zhù)市場(chǎng)營(yíng)收規模將從2016年的15億美元增長(cháng)至202
  • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來(lái),采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì )明顯萎縮。
  • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

  •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(cháng)(VPE)的基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(cháng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(cháng)源材料,以熱分解反應方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(cháng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長(cháng),是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設備。   根據Technavio統計,全球MOCVD市場(chǎng)的復合年平均增長(cháng)率將在2021年之前增長(cháng)到14%,市場(chǎng)規模將從201
  • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

趁著(zhù)第三代半導體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì )影響力。
  • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現更高效率與寬帶

  • 隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)通信的帶寬、用戶(hù)數目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長(cháng)。無(wú)線(xiàn)功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺運作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營(yíng)成本;同時(shí),更少的熱意味著(zhù)更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  
共371條 17/25 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 » ›|

gan system介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan system!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對gan system的理解,并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>