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gan system 文章 進(jìn)入gan system技術(shù)社區
Cree積極擴廠(chǎng)開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀(guān)察
- 全球SiC晶圓市場(chǎng)規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠(chǎng)Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠(chǎng)與1座材料超級工廠(chǎng)(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
Windows 10資源管理全新概念設計來(lái)了：顏值不俗
- 如果你對Windows 10的設計風(fēng)格一直不滿(mǎn)意的話(huà)，你應該去了解一下Fluent Design。
- 關(guān)鍵字： Windows 10概念設計 luent Design System
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動(dòng)和穩健的器件保護。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數量。從歷來(lái)經(jīng)驗來(lái)看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢實(shí)現設計，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復雜集成來(lái)節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠(chǎng)150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著(zhù)全球推出5G網(wǎng)絡(luò )并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線(xiàn)配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實(shí)現領(lǐng)先的設計敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(LMR)、無(wú)線(xiàn)公共安全通信以及軍事戰術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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盤(pán)點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節節攀升，2018年可以說(shuō)是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
- 關(guān)鍵字： 芯片，GaN
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強其5G領(lǐng)先優(yōu)勢
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統成本?！ ?SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無(wú)線(xiàn)接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營(yíng)商能夠滿(mǎn)足 5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
- 關(guān)鍵字： QORVO GAN
德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由
- 在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里?！ ∥覀儙讉€(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實(shí)驗室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話(huà)題始終圍繞著(zhù)熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒(méi)有人對此感到滿(mǎn)意。在這個(gè)探討過(guò)程中，我們盤(pán)點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設備?！ ≡谀莻€(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新
- 從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據相當大的空間，而且市場(chǎng)對更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減?！ 」桦娫醇夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現有尺寸規格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )，以及未來(lái)的機器人、可再生能源直至數據中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素?！ 肮こ處煬F在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無(wú)法在現有空間內繼續提高功率，但同時(shí)又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
- 關(guān)鍵字： GaN，機器人
當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？
- 當今的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現，多家硅谷公司與傳統芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動(dòng)著(zhù)市場(chǎng)格局不斷變化? 哪些因素在推動(dòng)變革? 半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅動(dòng)：對無(wú)所不在的傳感和連接的需求。無(wú)論人們身處世界的哪個(gè)位置，無(wú)論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿(mǎn)足蜂窩手
- 關(guān)鍵字： 射頻半導體 GaN
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應用
- 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個(gè)人電子應用中的硅場(chǎng)效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng )建更小、更高效和更高性能的設計?！ 〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過(guò)集成獨特的功能和保護特性，來(lái)實(shí)現簡(jiǎn)化設計，達到更高的系統可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過(guò)集成的<100ns電
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
SiC和GaN系統設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現，正推動(dòng)著(zhù)功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉換系統的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！ ”热缫幻O計工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動(dòng)控制器，或者正在設
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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