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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現了更出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關(guān)參數，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應管無(wú)需復雜的驅動(dòng)和控制，應用設計大為簡(jiǎn)化；使用標準的硅MOSFET 驅動(dòng)器也可以很容易地驅動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
- 關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
國微思爾芯發(fā)布全球首款FPGA驗證仿真云系統Prodigy Cloud System
- 國微思爾芯(“S2C”), 全球領(lǐng)先的前端電子設計自動(dòng)化 (EDA) 供應商, 發(fā)布全球首款FPGA驗證仿真云系統 Prodigy Cloud System。這是為下一代 SoC 設計驗證需要而特別開(kāi)發(fā)的驗證仿真云系統,支持業(yè)界最大容量的 FPGA 元件 Xilinx Virtex? UltraScale? VU440 和 Intel? Stratix? 10 GX 10M, 可因需求擴充搭載的容量, 不受時(shí)間、地點(diǎn)的限制, 大幅縮短復雜 SoC的設計驗證流程。
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國微思爾芯發(fā)布全球首款FPGA驗證仿真云系統Prodigy Cloud System
- 國微思爾芯(“S2C”), 全球領(lǐng)先的前端電子設計自動(dòng)化 (EDA) 供應商, 發(fā)布全球首款FPGA驗證仿真云系統 Prodigy Cloud System。這是為下一代 SoC 設計驗證需要而特別開(kāi)發(fā)的驗證仿真云系統,支持業(yè)界最大容量的 FPGA 元件 Xilinx Virtex? UltraScale? VU440 和 Intel? Stratix? 10 GX 10M, 可因需求擴充搭載的容量, 不受時(shí)間、地點(diǎn)的限制, 大幅縮短復雜 SoC的設計驗證流程。
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貿澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權分銷(xiāo)商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品均可在貿澤官網(wǎng)上在線(xiàn)訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng )新解決方案制造商，致力于實(shí)現一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設計最先進(jìn)的人工智能、機械人、無(wú)人機、 全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無(wú)人機及車(chē)載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類(lèi)放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術(shù)設計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售，支持高密度電源轉換設計
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅動(dòng)。隨著(zhù)基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠(chǎng)用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車(chē)供應商MARELLI近日宣布與美國一家專(zhuān)注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)輛領(lǐng)域OBC車(chē)載充電器、DC-DC 轉換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車(chē)行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動(dòng)系統業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： OBC GaN
Qorvo推出業(yè)內最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專(zhuān)為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來(lái)提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： GaN 功率放大器
Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布與知名汽車(chē)工程咨詢(xún)公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓撲。在汽車(chē)領(lǐng)域，這意味著(zhù)車(chē)輛行駛里程更長(cháng)，而這正是所有電動(dòng)汽車(chē)消費者最關(guān)心的問(wèn)題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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