美光面向數據中心客戶(hù)推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺發(fā)展

關(guān)鍵優(yōu)勢：

● 隨著(zhù) CPU 內核數量不斷增加，改進(jìn)后的內存架構相比 DDR4^[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率

● JEDEC 速度提高至 4800MT/s^[2]，比 DDR4 快 1.5 倍^[3]

● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載^[4]

● DDR5 的創(chuàng )新架構改進(jìn)和模組內建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統整體運行性能

內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布，面向商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM，以支持下一代英特爾^?和 AMD^? DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM，DDR5 內存產(chǎn)品能夠將系統性能提高至多85%。^[5]美光全新 DDR5 服務(wù)器內存能夠為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和數據密集型應用提供 DDR4 技術(shù)所不具備的更高 CPU 計算能力與內存帶寬，從而最大限度地提升這些應用的性能。

美光商用產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Teresa Kelley 表示：“隨著(zhù)數據量持續呈指數級增長(cháng)，能否將數據轉化為洞察對業(yè)務(wù)成功至關(guān)重要。數據中心運營(yíng)者需要借助先進(jìn)的內存能力與處理器技術(shù)的進(jìn)步來(lái)最大限度地提高平臺性能。美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM 可提供海量帶寬，助力管理最為內存密集型的應用。美光始終走在 DDR5 內存技術(shù)發(fā)展前沿，引領(lǐng)業(yè)界向 DDR5 內存技術(shù)過(guò)渡，并致力于支持數據中心客戶(hù)和渠道合作伙伴完成服務(wù)器 DDR5 DRAM 資格認證及準備工作?！?/p>

作為全球內存行業(yè)領(lǐng)導者，美光從一開(kāi)始便與電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì )（JEDEC）聯(lián)手確立了 DDR5規范，并通過(guò)美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃（Technology Enablement Program，TEP）——業(yè)界唯一的 DDR5 生態(tài)系統賦能計劃面向廣泛的市場(chǎng)領(lǐng)域推廣早期 DDR5 資格認證。目前，美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃已經(jīng)吸引了來(lái)自全球 160 多家企業(yè)的 400 多位成員參與，旨在幫助合作伙伴簡(jiǎn)化 DDR5 內存設計并應對集成挑戰。所有美光服務(wù)器 DDR5 DRAM 均針對下一代產(chǎn)品系列進(jìn)行了優(yōu)化，并通過(guò)了模組和顆粒測試，以達到關(guān)鍵任務(wù)型服務(wù)器標準。

目前，采用 DDR5 內存模塊的服務(wù)器正在數據中心環(huán)境中接受評估和測試，預計將在 2022 年下半年加快采用速度。DDR5 的初始數據傳輸速率為 4800MT/s，預計后續還將進(jìn)一步提高，以更好地滿(mǎn)足未來(lái)數據中心工作負載的需求?？蛻?hù)即刻可通過(guò)美光全球商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴獲得美光 DDR5 服務(wù)器內存產(chǎn)品。

[1] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模塊的 1.87 倍。

[2] 初始發(fā)布的速率為 4800MT/s，未來(lái)預計可達 5600MT/s 和 6400MT/s。

[3] 初始發(fā)布的 DDR5 速度達 4800MT/s，比 DDR4 模塊的 3200MT/s 快 1.5 倍（速度提高 50%）。

[4] 初始發(fā)布的容量使用 16Gb 容量的內存顆粒。

[5] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模組的 1.87 倍。