庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。

標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)看，第四季價(jià)跌預測皆是13％～18％。

隨著(zhù)DDR5的滲透率持續升高，加上單價(jià)較高的特性，第四季DDR5于標準型DRAM領(lǐng)域的滲透率將提升至13％～15％，使得整體標準型DRAM平均單價(jià)略有提升，預估第四季價(jià)格季跌約10％～15％。

服務(wù)器DRAM方面，由于新平臺遞延導致服務(wù)器終端降低采購，并預期第四季伺服整機出貨下滑，加上客戶(hù)端庫存約9～12周屬偏高水位，在OEM廠(chǎng)及中國云端服務(wù)供貨商減緩拉貨力道，原廠(chǎng)轉以著(zhù)重北美云端服務(wù)供貨商議價(jià)和量，但產(chǎn)出仍無(wú)法有效去化，使原廠(chǎng)庫存壓力持續攀升。

集邦預期，服務(wù)器DDR5第四季將正式轉為量產(chǎn)狀態(tài)，相較前一季的樣品價(jià)會(huì )下跌25％～30％，但量產(chǎn)初期滲透率僅約5％，故對整體服務(wù)器DRAM均價(jià)影響有限，預估第四季價(jià)格跌幅約13％～18％。

在消費性及利基型DRAM方面，雖網(wǎng)通端受惠于短料緩解，以及歐美地區的基礎建設升級，出貨量較為穩定，但難以弭平來(lái)自其他終端產(chǎn)品的需求下滑，且正值價(jià)格下行周期，客戶(hù)皆將庫存保持在健康水位，并未積極備貨，預期第四季需求仍疲弱。

受到全年智能型手機生產(chǎn)量下修波及，CMOS影像傳感器（CIS）需求亦同步下滑，韓廠(chǎng)因此放緩DDR3及DDR4舊制程轉進(jìn)CIS的步伐，導致位產(chǎn)出持續放量，庫存壓力難以削減。由于供過(guò)于求情形未緩解，第四季消費性及利基型DRAM價(jià)格跌幅為10％～15％。

2022年第三季及第四季DRAM合約價(jià)格走勢變化