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存儲器大廠(chǎng)意外頻發(fā)“穩定”行業(yè)價(jià)格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠(chǎng)跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠(chǎng)制程凸捶，導致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴(lài)個(gè)人電腦(PC)的成長(cháng)性，很難再出現需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價(jià)格秩序。 意外事件＋制程出錯 穩定價(jià)格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠(chǎng)房意外電線(xiàn)走火，導致NAND Fla
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND 晶圓 三星 海力士 NB DT
美光可有能買(mǎi)下奇夢(mèng)達手中35%股權 大股東南科稱(chēng)尚未定案
- 美光有可能買(mǎi)下奇夢(mèng)達所持有的臺灣DRAM廠(chǎng)華亞科技的股權。對此，華亞科技大股東南科表示，針對華亞科技的股權處置，南科與奇夢(mèng)達仍在協(xié)商中，尚未定案。 外電報道指出，美光決定與臺灣DRAM大廠(chǎng)南科結盟，兩公司計劃在臺合資成立亞美科技，預計2009年底前各自投資現金5.5億美元后，美光有可能進(jìn)一步買(mǎi)下奇夢(mèng)達所持有的華亞科技35%股權。 針對美光將買(mǎi)下奇夢(mèng)達所持華亞科技股權事宜，華亞科總經(jīng)理高啟全表示，南科與奇夢(mèng)達等兩大股東正針對華亞科股權處置事宜進(jìn)行協(xié)商，至于結果由誰(shuí)買(mǎi)下對方股權及資金來(lái)源，目前
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光 奇夢(mèng)達 南科
艱難時(shí)期顯實(shí)力 芯片代工巨頭加快產(chǎn)品轉型技術(shù)升級
- 今年第一季度，芯片代工企業(yè)大多贏(yíng)利艱難，臺積電憑借雄厚的實(shí)力試圖甩開(kāi)競爭對手。中芯國際為避免持續虧損，毅然放棄了DRAM代工業(yè)務(wù)。 進(jìn)入2008年以來(lái)，受全球半導體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)緩慢、北美市場(chǎng)持續疲軟的影響，半導體芯片代工行業(yè)處境依舊艱難。對全球前四大代工廠(chǎng)公布的2008年第一季度財報進(jìn)行分析可以看出，在該季度，除領(lǐng)頭羊臺積電有較大幅度增長(cháng)之外，其他廠(chǎng)家都在為贏(yíng)利而掙扎， 有的還處在產(chǎn)品線(xiàn)轉型的陣痛之中。不過(guò)，通信和消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)的增長(cháng)也給業(yè)內人士帶來(lái)一絲寬慰，這或許預示著(zhù)半導體產(chǎn)業(yè)將走入新的
- 關(guān)鍵字： 芯片 臺積電 中芯國際 DRAM 半導體 英特爾 三星 特許 聯(lián)華電子
DRAM廠(chǎng)商的太陽(yáng)能戰略
- 在DRAM產(chǎn)業(yè)遭受單價(jià)和庫存的雙重打擊下，DRAM供應商們正在積極調整經(jīng)營(yíng)策略，應對這一危機。就在5月5號，內存供貨商奇夢(mèng)達宣布和德國的太陽(yáng)能公司CentroSolar集團合資建立和營(yíng)運一座太陽(yáng)能電池制造廠(chǎng)，生產(chǎn)以硅材料為主的太陽(yáng)能電池。CentroSolar將占有49%的股權，奇夢(mèng)達全資子公司奇夢(mèng)達Solar GmbH持有另外51%的股權。并且與位于江西省新余市的江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司達成了硅片供應的協(xié)議。 擁有硅晶圓生產(chǎn)線(xiàn)并且布局太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的DRAM芯片公司，奇夢(mèng)達并非第一家。臺
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財報分析存儲器疲軟拖累全局產(chǎn)業(yè)整合愈加頻繁
- 存儲器市場(chǎng)的持續低迷，使半導體整體市場(chǎng)表現受到拖累。而業(yè)內公司紛紛祭出產(chǎn)業(yè)整合的法寶，或斷尾求生，或抱團取暖?？傊?，當半導體行業(yè)再次走出低谷之后，我們又將看到許多陌生的面孔。 最近，全球各大半導體公司陸續公布了2008年第一季度的財報，通過(guò)比較各公司的業(yè)績(jì)表現可以看出：存儲器市場(chǎng)在今年第一季度繼續了去年的頹勢，受此影響，全球半導體市場(chǎng)整體表現欠佳；為了在市場(chǎng)競爭中占據主動(dòng)，很多企業(yè)強調專(zhuān)注于自身最
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芯片設備業(yè)有望迎來(lái)新一輪增長(cháng)周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過(guò)一年時(shí)間的磨難和快速衰退，半導體廠(chǎng)商們有望在2009年迎來(lái)新一輪增長(cháng)周期。 當業(yè)內權威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時(shí)，半導體設備廠(chǎng)商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標準普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期，2008年的情況也不太樂(lè )觀(guān)。” Zino說(shuō)，預計今年的半導體設備的銷(xiāo)售額將繼續下滑，主要是因為內存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說(shuō)：“我們
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND閃存
三星DRAM銷(xiāo)售世界排第一
- 5月9日消息，周四，韓國的一份產(chǎn)業(yè)報告顯示，韓國三星電子公司今年第一季度的DRAM銷(xiāo)售排名世界第一。 據國外媒體報道， 市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，三星電子今年1至3月份的DRAM銷(xiāo)售總額為18.1億美元，在同期的全球范圍內DRAM銷(xiāo)售總額中占據30.2%。 該報告稱(chēng)，這是三星電子的DRAM銷(xiāo)售額連續第二個(gè)季度占全球市場(chǎng)30%以上的份額。報告表示，三星電子極好地應對了最近DRAM價(jià)格大幅下跌的不利情況。 此外，韓國Hynix半導體公司以11.3億美元的銷(xiāo)
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功耗文化決定設計取向
- 功耗，人們在不同的語(yǔ)境下討論這一問(wèn)題：一方面，惜電如金，一方面更加廣泛地利用電能；一方面降低功耗，一方面冷卻用電設備……由此，降低功耗更是設計取向問(wèn)題。 電子行業(yè)的確有兩種功耗文化。在近日美國舊金山舉辦的eSummit2008上，Qimonda（奇夢(mèng)達）公司的高級市場(chǎng)行銷(xiāo)總監Tom Till認為，應用對功耗的要求存在著(zhù)相互矛盾的地方，設計者就是在這樣的環(huán)境下來(lái)研究功耗－性能模型的。一種是盡量降低功耗和相應的成本，當然性能上也降低。另一種是電池供電的情形，即目前的&
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全球DRAM產(chǎn)業(yè)分分合合 結盟變化顯示激烈競爭勢態(tài)
- 日本大廠(chǎng)（Elpida）與德國DRAM大廠(chǎng)（Qimonda）24日宣布，已簽訂共同開(kāi)發(fā)技術(shù)合作意向書(shū)，攜手開(kāi)發(fā)新世代DRAM技術(shù)，不僅宣告溝槽式記憶體陣營(yíng)將成為過(guò)去式，奇夢(mèng)達也將與力晶化敵為友，與爾必達站在同一陣線(xiàn)力抗業(yè)界龍頭韓國三星電子。 這是繼上月初臺塑集團旗下南亞科技宣布將與奇夢(mèng)達終止合作，轉投美商美光（Micron）陣營(yíng)后，全球DRAM業(yè)又一次勢力大重組。根據DRAM市調機構集邦科技（DRAMeXchange）調查，奇夢(mèng)達與爾必達去年全球市占率排名分居第三、四名，兩家結盟后市占率25.6
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全球半導體標準組織委員會(huì )會(huì )議在上海舉行 推動(dòng)存儲工業(yè)新標準制定
- 隨著(zhù)筆記本電腦、手機等移動(dòng)終端以及家用數碼產(chǎn)品的大規模增長(cháng)，器的移動(dòng)性和能耗問(wèn)題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前，(全球半導體組織)委員會(huì )會(huì )議在上海舉行，推動(dòng)存儲工業(yè)新標準制定。 在過(guò)去五年內，JEDEC曾與中國半導體行業(yè)組織合作，促進(jìn)中國及世界的半導體行業(yè)標準。例如中國電子標準協(xié)會(huì )(CESA)，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )(CSIA)與中國電子標準研究所(CESI)等。 我國企業(yè)已占JEDEC會(huì )員數的20%，而且數目還在增長(cháng)。JEDEC本次會(huì )議主要研究了DDR3 SDRAM（第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲
- 關(guān)鍵字： SDRAM DRAM
存儲器兼并大戰開(kāi)始打響
- ?目前全球存儲器市場(chǎng)因供過(guò)于求及價(jià)格下降過(guò)快，已經(jīng)到了不可收拾的地步。目前唯一的辦法，是讓一家或幾家首先壓縮產(chǎn)能，來(lái)緩和供需矛盾，促使存儲器價(jià)格的回升。因此業(yè)界共識，全球存儲器市場(chǎng)的兼并重組在即。???? ? ????全球存儲器業(yè)的震蕩在業(yè)界習以為常，中間最大的變化有兩次。一次是上世紀80年代日本依靠嚴格的質(zhì)量管理等，利用計算機中存儲器的爆炸性應用市場(chǎng)，一舉超過(guò)美國成為全球最大的芯片制造地區，市場(chǎng)占
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恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場(chǎng)
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng )新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，在成立之初就成為存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，專(zhuān)注于存儲器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
FPGA到高速DRAM的接口設計(04-100)
- FPGA做為系統的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò )、通信、存儲和高性能計算應用中，在這些應用中都需要復雜的數據處理。 所以，現在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的?，F在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專(zhuān)門(mén)特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設計。 設計高速外部存儲器接口不是一件簡(jiǎn)單的任務(wù)。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達到133MHz(260
- 關(guān)鍵字： Altera FPGA DRAM
Gartner下調全球半導體市場(chǎng)增長(cháng)率至3.4%
- 據報道，在芯片需求走軟價(jià)格下跌的情況下，市場(chǎng)調研機構Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(cháng)率至先前預測值的二分之一。 去年12月，Gartner曾預估全球2008年IC市場(chǎng)將有6.2%的增長(cháng);但是在最新的預估中，修正至3.4%。 根據Gartner分析，2009-2012年IC市場(chǎng)增長(cháng)幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。 然而，什么原因使2008年的預估表現下降?Gartner表示，市場(chǎng)中有許多不樂(lè )觀(guān)的跡象，首當其沖的就是美國經(jīng)濟的疲軟甚至衰退。
- 關(guān)鍵字： DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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