<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> dram

Gartner:2007年全球半導體收入將增長(cháng)3%

  •   市場(chǎng)調研機構Gartner日前發(fā)布了2007年全球半導體市場(chǎng)收入預測報告。報告顯示,2007年全球半導體市場(chǎng)收入同比去年增長(cháng)2.9%,達到2730億美元。而且銷(xiāo)售收入排名前十位的廠(chǎng)商當中,兩家公司的收入增長(cháng)保持兩位數增長(cháng),而另有兩家公司收入出現下滑。   Gartner負責市場(chǎng)調查業(yè)務(wù)的資深副總裁Andrew Norwood稱(chēng),“半導體廠(chǎng)商目前的經(jīng)營(yíng)狀況,與終端客戶(hù)的聯(lián)系更加緊密起來(lái),因為當前半導體業(yè)界與消費者的支出模式有直接關(guān)系?!?   英特爾2007年的芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)幅度超過(guò)了半導體市場(chǎng)平均
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導體  芯片  DRAM  

中芯國際今年仍盈利無(wú)望 赴內地上市存障礙

  •   中芯國際連年虧損,今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示,今年仍然可能無(wú)法實(shí)現盈利目標,但對集團整體展望仍是正面。   中芯第三季業(yè)績(jì)因DRAM價(jià)格走弱而虧損2,555萬(wàn)美元,外電引述張汝京的話(huà)表示,若集團的DRAM業(yè)務(wù)能夠達到收支平衡,全年才有望獲得盈利。   集團早前預期今年DRAM業(yè)務(wù)將難有明顯改善。此外,張汝京表示,中芯仍計劃于內地上市,但目前仍存有許多障礙。   集團于上海的12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn),昨日正式投產(chǎn),初期投資4.5億美元,未來(lái)投資總額將增加至20億美元。張汝京表示,上海的生產(chǎn)線(xiàn)
  • 關(guān)鍵字: 消費電子  中芯國際  DRAM  芯片  消費電子  

分割DRAM虧損部門(mén) 矽統裁員不裁錢(qián)

  •   據臺灣媒體報道,芯片大廠(chǎng)矽統也將步威盛步伐,進(jìn)行重整計劃,上月爆出消息,矽統將虧損關(guān)鍵DRAM模塊部門(mén)分割獨立為子公司昱聯(lián)科技外,近期傳出,矽統將大舉進(jìn)行裁員。矽統表示,由于DRAM跌價(jià)重創(chuàng ),前三季都大虧,為改善這一局面,矽統將進(jìn)行規模重整,調整營(yíng)運步伐,進(jìn)行有效裁員,期望至明年上半年慢慢回升績(jì)效,至明年下半年,可望營(yíng)收回升,整體回暖。   威盛和矽統都曾是英特爾的勁敵,帶給英特爾極大的威脅,但由于一些技術(shù)上以及專(zhuān)利方面的原因,以及全球大氣候的影響,慢慢被強勁的對手比拼,聲勢日漸低落,即使全力一搏,
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  DRAM  芯片  矽統  模擬IC  電源  

DRAM市場(chǎng)基礎繼續惡化 預計08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%

  •   Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內存市場(chǎng)基礎繼續惡化,大多數DRAM供應商,尤其韓國之外的廠(chǎng)商2008年資本開(kāi)支出現大幅削減?!?   預計2008年,DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%,原來(lái)預計下降20%。這將導致總體內存資本開(kāi)支減少10-12%。   在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(cháng)的低迷之后,該市場(chǎng)仍然存在嚴重的供過(guò)于求情況?!斑@主要由于按容量計
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設計  

第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(cháng)37%,達42億美元

  •   市場(chǎng)調研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導體全球銷(xiāo)售額增長(cháng)37%,達到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋(píng)果iPod在內的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續增長(cháng)勢頭,本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長(cháng)速度快于需求,本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。   韓國海力士半導體第三季度增長(cháng)最快,其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%,達到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%,在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子,市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數量
  • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  DRAM  存儲器  

NEC電子開(kāi)發(fā)出40納米DRAM混載系統LSI 混載工藝技術(shù)

  •   NEC電子近日完成了兩種線(xiàn)寬40納米的DRAM混載系統LSI工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā),使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導體配線(xiàn)工藝更加微細,被稱(chēng)為45nm的下一代產(chǎn)品。此次,NEC電子推出的工藝中,一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝,它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz,同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝,它的功耗約為內嵌同等容量SRAM的1/3左右。   UX8GD和 UX8LD 是在線(xiàn)寬從55nm縮小至40nm的
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  NEC  DRAM  LSI  

供應過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

  •   美國iSuppli調研結果顯示,由于供應過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內進(jìn)一步惡化。   NAND閃存方面,預計512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著(zhù)價(jià)格下跌,行情出現惡化,短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內存廠(chǎng)商將生產(chǎn)能力從DRAM轉移至NAND閃存,從而導
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器  

2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表 金士頓仍是霸主

  •   據iSuppli公司,2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,但同期增長(cháng)最快的則是規模較小的創(chuàng )見(jiàn)與記憶科技。   2007年上半年,臺灣創(chuàng )見(jiàn)DRAM模塊銷(xiāo)售收入比2006年同期大增77.3%,在所有的供應商中增長(cháng)率最高。其銷(xiāo)售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(cháng)到2.5億美元。創(chuàng )見(jiàn)在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。   iSuppli公司的存儲IC和存儲系統總監兼首席分析師Nam Hyung Kim表示:“由于創(chuàng )見(jiàn)
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  DRAM  金士頓  臺灣  MCU和嵌入式微處理器  

08年半導體設備市場(chǎng)前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險

  •   2008年半導體設備市場(chǎng)前景黯淡,資本開(kāi)支預計下滑超過(guò)3%。Hosseini預測,前端設備訂單不穩定情況將維持到2008年下半年,而后端設備預計也充滿(mǎn)變數。   他在報告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續惡化,由于芯片單元增長(cháng)率出現拐點(diǎn),2008年上半年晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險。我們預計前端設備訂單繼續下滑,下滑情況可能會(huì )持續到2008年第3季度?!彼瑫r(shí)表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預計后端訂單勢頭平緩至下滑,之后有望重現恢復?!?   他最大的擔憂(yōu)在DRAM行業(yè),預計“整
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導體  DRAM  芯片  元件  制造  

美半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì ):近期半導體市場(chǎng)不會(huì )衰退

  •   據國外媒體報道,美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)表示,近期內半導體市場(chǎng)不大可能出現衰退。它認為今年全球芯片的銷(xiāo)售額將增長(cháng)3%,在隨后三年中的增長(cháng)速度會(huì )更高一些。   SIA表示,它預計全球的芯片銷(xiāo)售額將由去年的2477億美元增長(cháng)至2571億美元,增長(cháng)速度低于今年年初時(shí)預期的10%。   6月份,SIA將今年芯片銷(xiāo)售額的增長(cháng)速度預期下調到了1.8%,主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后,微處理器的銷(xiāo)售出現了強勁增長(cháng),迫使SIA提高了對芯片銷(xiāo)售額增長(cháng)速度的預期。   S
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導體  芯片  DRAM  模擬IC  電源  

三星DRAM銷(xiāo)售穩居冠軍,但市場(chǎng)份額不保

  •   據市場(chǎng)調研機構iSuppli公布的調查報告顯示,韓國三星電子在今年第三季度全球DRAM儲存芯片市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入仍穩坐冠軍寶座,但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。   據國外媒體報道,iSuppli在上周四發(fā)布的報告中表示,在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現,它的成長(cháng)速度相當迅猛,并在逐步縮小與三星的差距。據悉,第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%,位居全球第一,其銷(xiāo)售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix,其第三季度收入比第二季度增長(cháng)了15.4%達到1
  • 關(guān)鍵字: 消費電子  三星  DRAM  冠軍  嵌入式  

晶圓廠(chǎng)陸續上線(xiàn) 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內存

  •   研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內存。   根據SMA報告,閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(cháng)了四倍,達到相當于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(cháng)225%。   報告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。   預計2008年和2009年,將有另外超過(guò)十座晶圓廠(chǎng)上線(xiàn)。SMA預計,當設備裝機完成時(shí),將帶來(lái)每月相當于150萬(wàn)片2
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  DRAM  內存  晶圓  MCU和嵌入式微處理器  

第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益

  •   對全球前四大代工廠(chǎng)公布的2007年第三季度財報進(jìn)行分析可以發(fā)現,在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過(guò),雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類(lèi)及技術(shù)水平的差別,各代工廠(chǎng)在凈利潤方面卻是冷暖自知,中芯國際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續虧損,但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國際有望走出低迷。   第三季度代工需求旺盛   綜合各家代工廠(chǎng)第三季度的財報,可以發(fā)現(見(jiàn)表“全球前
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  中芯國際  IC  DRAM  模擬IC  

IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增

  •   IDC在最新的《全球半導體市場(chǎng)預測》中預測,2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)速度放慢將為2008年的大增長(cháng)奠定基礎。   據國外媒體報道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度將只有4.8%,2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測,2008年的增長(cháng)速度將達到8.1%。   報告指出,如果產(chǎn)能增長(cháng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度會(huì )更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購,這可能會(huì )改變業(yè)界的競爭格局。   IDC負責《全球半導體市場(chǎng)預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對各
  • 關(guān)鍵字: 消費電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設計  

應用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵

  •   美國和歐洲市場(chǎng)強勁的季節銷(xiāo)售,以及緊隨其后的中國新年銷(xiāo)售旺季,將有助于決定DRAM是否供過(guò)于求、邏輯芯片供應正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。   應用材料總裁兼首席執行官MikeSplinter預測,如果情況不是很好,2008年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì )太強勁。2007年,半導體設備資本開(kāi)支增長(cháng)率為0到5%之間,而半導體收入增長(cháng)預計為5%到10%之間。   Splinter表示,“尚未為止,2007年半導體產(chǎn)業(yè)未現繁榮景象。這不是因為銷(xiāo)售沒(méi)有增加,而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計,邏輯芯片
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  DRAM  芯片  半導體  MCU和嵌入式微處理器  
共1847條 119/124 |‹ « 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 »

dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒(méi)有被刷新,存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]

熱門(mén)主題

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>