端接DDR DRAM的電源電路

    DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準電壓（V_REF＝V_DD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤V_REF的終端電壓V_TT。在保持V_TT=V_REF+0.04V的同時(shí)，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統提供終端電壓，并可輸出高達6A的電流。IC₁有一個(gè)降壓控制器和2個(gè)線(xiàn)性穩壓控制器。IC₁在輸入電壓為4.5～28V下工作。
　　IC₁的200kHz固定頻率PWM控制器通過(guò)提供源流和吸收電流來(lái)保持輸出電壓。最大源電流等于最大吸收電流，但吸收電流沒(méi)有限流作用。IC₁吸收電流時(shí)，將某些電流返回電源輸入端。為了實(shí)現跟蹤功能，IC₁額外的線(xiàn)性穩壓控制器之一被配置成一個(gè)倒相放大器。這一放大器將V_DD/2（由R₁和R₂產(chǎn)生）與來(lái)自IC₁的V_REF進(jìn)行比較，產(chǎn)生一個(gè)誤差信號，誤差信號通過(guò)R₃到達IC₁的FB引腳，從而迫使V_OUT跟蹤V_DD/2。為實(shí)現精密跟蹤，必須用一只10mA的負載電阻器R₄來(lái)給倒相放大器提供偏量。當V_DD為1～4V時(shí)，V_OUT可跟蹤VDD/2。