ST推出內置DRAM存儲器的微控制器
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GreenFIELD STW21000以及最近推出的GreenSIDE’ (STW51000)多標準WCDMA / CDMA2000 / TD-SCDMA / EDGE基帶解決方案,是ST與數家領(lǐng)先的無(wú)線(xiàn)基礎設備制造商共同定義的, 它代表了ST為降低無(wú)線(xiàn)基礎設施的成本和提高產(chǎn)品性能所采取的一個(gè)重要行動(dòng)。
該產(chǎn)品透過(guò)內置的可編程ARM核心提供了極高的靈活性。此外,專(zhuān)用的eFPGA能夠在芯片上對各種接口進(jìn)行再編程,因此能夠保障客戶(hù)在GreenFIELD平臺上的投資,并最大限度提高平臺在多種應用中的再利用性
。它適用于不同的基站功能,例如:預失真、電動(dòng)天線(xiàn)遙控和無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )控制器,從而簡(jiǎn)化了系統設計并降低了整體成本與功耗。GreenFIELD集成了存儲器、上電復位、電壓參考電路和模數轉換器,從而簡(jiǎn)化了設計,降低了總功耗和總成本。
"我們?yōu)橛脩?hù)帶來(lái)了降低成本的絕好機會(huì ),因為GreenFIELD-STW21000允許用戶(hù)在各種不同的插槽內使用同一芯片,同時(shí)還能利用可編程核心、外設與和可重復配置接口的多功能組合適應變化中的標準,"ST無(wú)線(xiàn)基礎設施部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理Daniel Abecassis表示,"通過(guò)整合ARM核心、境內外入式DRAM和嵌入式FPGA, ST為用戶(hù)提供了一個(gè)適合各種關(guān)鍵性需求的經(jīng)過(guò)客戶(hù)驗證的可編程系統級芯片。"
GreenFIELD采用ST的130納米高性能CMOS制造技術(shù),STW21000單片整合了大量不同類(lèi)的技術(shù),包括高性能數字邏輯、處理器核心、高密度DRAM、可重復配置接口與模擬外設(如模數轉換器與數模轉換器)。由于ST擁有成熟的嵌入式DRAM技術(shù),因此GreenFIELD-STW21000提供了存儲容量高達16Mbit的片上內存。
在功能本來(lái)已經(jīng)很豐富的基礎之上,ST又為新器件增加了多種功能:
- 片上多重HDLC控制器
- 10/100以太網(wǎng)絡(luò )媒體訪(fǎng)問(wèn)控制器、通用輸入輸出
- 片上內存控制器(支持外部DDR SDRAM接口與靜態(tài)組件接口)
- 多通道串口
- UART及I2C接口
- ST獨有的上電復位功能。
可編程邏輯的軟件開(kāi)發(fā)支持工具包括一套先進(jìn)的集成的軟件工具(包括傳統的知名的PFGA工具提供商如Synopsys, Synplicity 和 Mentor Graphics提供的工具),這套軟件可以在一個(gè)獨特的設計環(huán)境內實(shí)現對可重配置接口的編程、調試和驗證操作。ARM Real ViewTM或任何獨立第三方套裝軟件工具都能用于CPU核心的軟件開(kāi)發(fā)。
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