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gddr5 文章 進(jìn)入gddr5技術(shù)社區
Intel、AMD推遲支持：DDR5內存明年殺到
- 據外媒報道稱(chēng),由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì )在韓國平澤的新工廠(chǎng)進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì )比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據悉,三星第四代10nm
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英偉達被專(zhuān)利限制 帕斯卡或繼續用GDDR5
- NVIDIA之前宣稱(chēng)要在2016年導入新型閃存HBM2，用在繼麥克斯韋之后的“帕斯卡”架構上，其容量最高可達32GB，性能十分強勁。但是AMD先搶得了HBM首發(fā)，AMD的Fury系列是全球第一個(gè)配備了HBM高帶寬顯存的顯卡。 HBM雖然不是AMD的發(fā)明，但它已經(jīng)和海力士共同研究了7年之久，特別是主導開(kāi)發(fā)了關(guān)鍵的2.5D封裝樣式，甚至已經(jīng)就此申請了專(zhuān)利。所以在專(zhuān)利問(wèn)題上，NVIDIA面臨著(zhù)不小的麻煩，目前只有兩條路可走：要使用2.5D封裝，那就必
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美光出貨全球首個(gè)20nm GDDR5顯存
- 雖然AMD已經(jīng)開(kāi)始使用HBM高帶寬顯存，NVIDIA明年也會(huì )跟上，但在一段時(shí)間內，GDDR5仍將是絕對主流。美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始出貨全球第一個(gè)20nm級別工藝的GDDR5顯存顆粒，可用于顯卡和游戲主機。美光沒(méi)有披露任何細節，但看起來(lái)應該就是幾周前就已開(kāi)始悄然供貨的最新型8Gb GDDR5顆粒。 目前市場(chǎng)上的GDDR5顯存基本被三星、海力士所壟斷，但工藝都停留在30nm級別，單顆容量也是2Gb、4Gb絕對主流。 美光自身在GDDR5上并不算強勢，但兩年前收購的日
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存儲器市場(chǎng)再下一城 三星量產(chǎn)20納米GDDR5
- 三星(Samsung)宣布將以該公司20奈米(nm)先進(jìn)制程，量產(chǎn)業(yè)界首款8Gb第五代繪圖雙倍資料率(GDDR5)動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)。GDDR5為目前市場(chǎng)上被廣泛采用的獨立型(Discrete)繪圖記憶體。 三星電子記憶體銷(xiāo)售與行銷(xiāo)執行副總裁Joo Sun Choi表示，三星預期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始設備制造商(OEM)最高效的繪圖記憶體解決方案，并為游戲機(Game Console)、筆記型電腦及桌上型電腦等裝置提供出色的效能。 Joo Sun Choi進(jìn)一步
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三星量產(chǎn)1GB GDDR5：8GB顯存要成標配
- 三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始在業(yè)內率先量產(chǎn)單顆容量8Gb(1GB)的GDDR5顯存，并采用了最新的20nm工藝。與此同時(shí)，新顆粒不但比4Gb GDDR5在容量上翻了一番，數據傳輸率也從7Gbps提升到了8Gbps，創(chuàng )造了GDDR5顯存的新高度。 這樣的顆粒只需要八顆，就能組成8GB顯存，滿(mǎn)足高端顯卡的需求。 前幾天還說(shuō)GTX 980受制于顯存技術(shù)無(wú)法做到8GB，這下子迎刃而解了。 每顆顆粒的位寬為32-bit，八顆全速運行就能提供256-bit位寬、256GB/s帶寬。 雖然說(shuō)AMD下代顯
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應用高帶寬示波器表征GDDR5數據抖動(dòng)，確保有效的數據傳輸
- GDDR5（GraphicsDoubleDataRate,圖形雙倍數據速率存儲接口，第5版）動(dòng)態(tài)隨機存取圖形卡存儲技術(shù)已應用于主流移...
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Hynix宣布開(kāi)發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片
- Hynix公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了業(yè)內首款面向PC機和游戲機的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱(chēng)這款新開(kāi)發(fā)出來(lái)的GDDR5顯存運行頻率可達7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? Hynix公司計劃于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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爾必達宣布完成首款1Gb GDDR5顯存芯片的研發(fā)
- 三個(gè)月前，日本爾必達公司曾確認稱(chēng)他們從瀕臨倒閉的奇夢(mèng)達公司那里得到了其GDDR5顯存芯片的技術(shù)授權，而本周這家日本公司則正式宣布其首款GDDR顯 存芯片產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，產(chǎn)品代號為EDW1032BABG，這是一款1Gb GDDR5顯存芯片產(chǎn)品，其芯片位寬可按X32或X16進(jìn)行配置，并可達到6Gbps的數據傳輸速度。 預計這款1Gb GDDR5顯存芯片將被用于顯卡，游戲機以及高性能計算產(chǎn)品中。這款GDDR5顯存芯片將于下月開(kāi)始進(jìn)入試樣階段，并將于明年第二季度開(kāi)始批量生產(chǎn)。盡管爾必達并未透露這批
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奇夢(mèng)達攜手Advantest共同開(kāi)發(fā)GDDR5測試解決方案
- 奇夢(mèng)達攜手Advantest開(kāi)發(fā)GDDR5（顯示雙數據速率5）測試硬件。此次合作旨在開(kāi)發(fā)適用于GDDR5圖形DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）的經(jīng)濟有效的大容量測試解決方案。 GDDR5將成為繼GDDR3之后的下一個(gè)主要顯示DRAM標準。GDDR5存儲器性能將超過(guò)現有的顯示標準。全新特性和性能將使GDDR5成為適用于未來(lái)高性能顯示應用（如PC顯卡或游戲控制臺）的理想產(chǎn)品。GDDR5標準目前正在由JEDEC制定。新的I/O標準要成功地進(jìn)入市場(chǎng)需要可制造性的支持，而內存測試正是制造的一個(gè)主要部分。
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