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cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
DRAM市況何時(shí)回溫？存儲廠(chǎng)商這樣說(shuō)
- 當前，由于消費電子市場(chǎng)需求持續疲弱，當前存儲器賣(mài)方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續下探。為避免存儲器產(chǎn)品再出現大幅跌價(jià)，多家供應商已經(jīng)開(kāi)始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢(xún)仍預估當季DRAM價(jià)格跌幅將達13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉南亞科總經(jīng)理李培英認為，受高通貨膨脹與供應鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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三大存儲模組廠(chǎng)商談產(chǎn)業(yè)前景
- 存儲模組大廠(chǎng)威剛認為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場(chǎng)庫存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲器中下游業(yè)者庫存調整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲器價(jià)格明確落底，市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預估，第一季營(yíng)收走勢可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認為，DRAM上半年仍會(huì )處于供過(guò)于求，但在原廠(chǎng)減產(chǎn)、減少資本支
- 關(guān)鍵字： 存儲模組 威剛 宇瞻 DRAM
外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達 37.6%，超越 Mobile DRAM
- IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今日發(fā)布報告稱(chēng)，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢(xún)報告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠(chǎng)持續將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉至前景相對強勁穩健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機出貨增長(cháng)率與平均搭載容量成長(cháng)率仍保守，原廠(chǎng)的
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
威剛：內存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復增長(cháng)動(dòng)能
- IT之家 2 月 10 日消息，據威剛官方消息，威剛 1 月合并營(yíng)收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化，預期內存產(chǎn)業(yè)供應鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著(zhù)下半年消費性需求回籠，以及各項產(chǎn)品單機內存搭載容量快速成長(cháng)，內存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復成長(cháng)動(dòng)能。威剛董事長(cháng)陳立白進(jìn)一步指出，目前公司對內存景氣展望不變，預期本季內存價(jià)格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應商獲利不再且投片態(tài)度轉趨保守，DRAM 與 NAND
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Astera Labs推出云規?；ゲ僮鲗?shí)驗室,實(shí)現大規模無(wú)縫部署CXL解決方案
- 心部署CXL附加內存先進(jìn)的專(zhuān)用連接解決方案公司Astera?Labs（Astera Labs）近日宣布，擴展其云規?；ゲ僮鲗?shí)驗室(Cloud-Scale Interop Lab)，支持Leo內存連接平臺(Leo Memory Connectivity Platform)與不斷成長(cháng)的生態(tài)系統之間實(shí)現強大的互操作性測試，該生態(tài)系統包括領(lǐng)先CXL為基礎的CPU、內存模塊和操作系統。Astera Labs首席產(chǎn)品官Casey Morrison表示：“Compute Express Link?（CXL?）
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存儲設備庫存擠壓嚴重，各類(lèi)儲存卡、SSD 價(jià)格暴跌：最低 3.59 元起
- 2023 年 2 月 7 日消息，據 DT 報道稱(chēng)主要存儲廠(chǎng)商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠(chǎng)們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長(cháng)的庫存壓力也讓供銷(xiāo)商對終端出貨的預期保持謹慎，甚至預測到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面，目前 DRAM 內存芯片價(jià)格預計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價(jià)格預計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態(tài)硬盤(pán) SSD 的用戶(hù)，近期好價(jià)可以選擇入手！
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TrendForce：預計一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%
- IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)最新報告指出，全球經(jīng)濟持續疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應商下修 2023 年服務(wù)器采購量，且數字可能持續下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)預計，四家廠(chǎng)商服務(wù)器采購量由原先預估的同比增長(cháng) 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機出貨年增率下降到 1.87%，進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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三星電子計劃明年擴大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設至少 10 臺 EUV 光刻機
- IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠(chǎng)增加芯片產(chǎn)能。據稱(chēng)，三星 2023 年存儲器和系統半導體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內消息人士稱(chēng)，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠(chǎng)增加 DRAM 設備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬(wàn)片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬(wàn)片（共 10 萬(wàn)），高于目前 P3 廠(chǎng) DRAM 產(chǎn)線(xiàn)的每月 2 萬(wàn)片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設備生產(chǎn) 12 納米級 DRAM。截至今
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動(dòng)系統等領(lǐng)域更可持續運營(yíng)的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶(hù)、計算
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
業(yè)界最快：SK 海力士開(kāi)發(fā)出數據傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內存模組
- IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開(kāi)發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱(chēng)，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來(lái)以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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