業(yè)界最快：SK 海力士開(kāi)發(fā)出數據傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內存模組

IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開(kāi)發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。

官方稱(chēng)，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來(lái)以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯片的速度。

SK 海力士技術(shù)團隊在設計產(chǎn)品時(shí)，以英特爾 MCR 技術(shù)為基礎，利用安裝在 MCR DIMM 上的數據緩沖器 (data buffer) 同時(shí)運行兩個(gè)內存列。

傳統 DRAM 模塊每次只能向 CPU 傳輸 64 個(gè)字節的數據，而在 MCR DIMM 模塊中，兩個(gè)內存列同時(shí)運行可向 CPU 傳輸 128 個(gè)字節的數據。每次傳輸到 CPU 的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到 8Gbps 以上，是單個(gè) DRAM 的兩倍。

該產(chǎn)品的成功開(kāi)發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開(kāi)發(fā)到速度和性能驗證的各個(gè)階段都進(jìn)行了緊密的合作。

SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品策劃擔當副社長(cháng)柳城洙認為這款產(chǎn)品的成功開(kāi)發(fā)取決于不同技術(shù)的結合。柳城洙表示：“SK 海力士的 DRAM 模塊設計能力與英特爾卓越的 Xeon 處理器、瑞薩電子的緩沖器技術(shù)融為一體。為確保 MCR DIMM 的穩定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關(guān)重要?！?/span>

數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個(gè)信號，服務(wù)器 CPU 則負責接受和處理來(lái)自緩沖器的信號。

柳副社長(cháng)還表示：“開(kāi)發(fā)出業(yè)界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術(shù)的又一長(cháng)足進(jìn)步。我們將繼續尋求突破技術(shù)壁壘，鞏固在服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導地位?！?/span>

英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內存創(chuàng )新、針對服務(wù)器的高性能、可擴展的 DDR5 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。

“此次采用的技術(shù)源于英特爾和關(guān)鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術(shù)能夠應用到未來(lái)的英特爾 Xeon 處理器上，支持業(yè)界的標準化和多世代開(kāi)發(fā)?！?/span>

瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門(mén)長(cháng) Sameer Kuppahalli 表示，該數據緩沖器從構思到實(shí)現產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，“對于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術(shù)轉化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪?！?/span>

IT之家了解到，SK 海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動(dòng)下，MCR DIMM 的市場(chǎng)將會(huì )逐步打開(kāi)，公司計劃在未來(lái)量產(chǎn)該產(chǎn)品。