EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cxl dram
cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團隊，負責開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專(zhuān)業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續三個(gè)季度衰退
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷(xiāo)售單價(jià)三大原廠(chǎng)均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續跌，然而在原廠(chǎng)陸續減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預期營(yíng)收成長(cháng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠(chǎng)營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
英特爾發(fā)布首款具有PCIe5.0和CXL功能的FPGA
- 當地時(shí)間5月22日，英特爾可編程解決方案事業(yè)部宣布，符合量產(chǎn)要求的英特爾Agilex?7 R-tile正在批量交付。該設備是首款具備PCIe 5.0和CXL功能的FPGA，同時(shí)這款FPGA亦是唯一一款擁有支持上述接口所需的硬化知識產(chǎn)權（IP）的產(chǎn)品。英特爾表示，面對時(shí)間、預算和功耗所帶來(lái)的限制，包括數據中心、電信和金融服務(wù)在內的各行業(yè)組織都將FPGA視為靈活、可編程的，以及高效的解決方案。使用Agilex 7 R-Tile，客戶(hù)可以將FPGA與諸如第四代英特爾至強可擴展處理器等進(jìn)行無(wú)縫銜接，并通過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 PCIe5.0 CXL FPGA
需求好轉？?jì)杉掖鎯S(chǎng)商部分應用領(lǐng)域出現急單
- 受消費電子市場(chǎng)需求疲弱影響，存儲產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續“過(guò)冬”，加上今年一季度為市場(chǎng)淡季，供過(guò)于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲產(chǎn)業(yè)市況如何？未來(lái)是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠(chǎng)商對此進(jìn)行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領(lǐng)域已出現急單近期，媒體報道，DRAM廠(chǎng)商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點(diǎn)，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領(lǐng)域已出現急單。為滿(mǎn)足市場(chǎng)應用需求趨勢，南亞科持續開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM
三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著(zhù)我們?yōu)闈M(mǎn)足計算市場(chǎng)對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著(zhù)芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數據中
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR5 DRAM
三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM
- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬?？蓴U展內存（Memory Expander）“作
- 關(guān)鍵字： 三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM
SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶(hù)公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著(zhù)人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長(cháng)，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿(mǎn)足
- 關(guān)鍵字： SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
利基型DRAM市場(chǎng)Q2回穩
- 據媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶(hù)洽談合約價(jià)格已看到止穩跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷(xiāo)售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據TrendForce集邦咨詢(xún)3月30日調查指出，即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
- 關(guān)鍵字： 利基型 DRAM
第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見(jiàn)止跌訊號
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，由于部分供應商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預估第二季跌幅會(huì )收斂至10~15%。不過(guò)，由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見(jiàn)終止，在目前原廠(chǎng)庫存水位仍高的情況下，除非有更大規模的減產(chǎn)發(fā)生，后續合約價(jià)才有可能反轉。PC DRAM方面，由于買(mǎi)方已連續三季大減采購量，目前買(mǎi)方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠(chǎng)已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
- 關(guān)鍵字： DRAM 止跌 TrendForce
cxl dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
cxl dram相關(guān)帖子
cxl dram資料下載
cxl dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473