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cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
DRAM大廠(chǎng)：消費端整體市況回穩恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠(chǎng)南亞科發(fā)布公告11月自結合并營(yíng)收為新臺幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計合并營(yíng)收為新臺幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據TrendForce集邦咨詢(xún)11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營(yíng)收衰退達40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續，預期2023上半年推出樣本，然客戶(hù)端因需求展望保守，導入意愿可能并不積極，預計
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠(chǎng)顆粒賣(mài)不動(dòng)：內存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續走跌
- 很顯然內存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費者依然沒(méi)有出手，當然還是覺(jué)得廠(chǎng)商能繼續降價(jià)。調研機構TrendForce現發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現貨報價(jià)仍在保持下跌的趨勢，主要買(mǎi)家對未來(lái)皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來(lái)說(shuō)：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價(jià)下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM，三星 SK海力士
韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著(zhù)幾大財團的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動(dòng)設備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個(gè)現象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開(kāi)源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專(zhuān)為 SSD 和持久內存設計的開(kāi)源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數據庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴(lài)于對 Linux 內核的修改，改為完全基于用戶(hù)空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開(kāi)源存儲引擎，帶來(lái)了更多功能改進(jìn)。據介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數據管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調遞增鍵（例如時(shí)間序列數據）的工作負載、多客戶(hù)端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
- 關(guān)鍵字： 美光 SSD DRAM HSE
報告稱(chēng)三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng ) 8 年來(lái)新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷(xiāo)售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷(xiāo)售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
機構預計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過(guò)移動(dòng)設備
- 11 月 2 日消息，據國外媒體報道，受電子消費品續期下滑影響，當前全球存儲芯片市場(chǎng)并不樂(lè )觀(guān)，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績(jì)，也受到了影響。雖然存儲芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂(lè )觀(guān)，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(cháng)。研究機構在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(cháng)，在今年有望首次超過(guò)智能手機、平板電腦等移動(dòng)設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會(huì )達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當地時(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過(guò)世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節點(diǎn)實(shí)現了量產(chǎn)準備。據官方介紹，美光于2021年實(shí)現1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區儲存的位元數也增加35%。美光表示，隨著(zhù)LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門(mén)副總裁Thy Tran表示，新版
- 關(guān)鍵字： 功率效率 美光 1β DRAM
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著(zhù)提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應用，基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
- 關(guān)鍵字： 美光 1β技術(shù)節點(diǎn) DRAM
美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實(shí)現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng)，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著(zhù) LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng )新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過(guò)驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng )下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實(shí)了在內存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動(dòng)設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
TrendForce：存儲器廠(chǎng)聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL 1.1規格，而該規格可先實(shí)現的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) 存儲器 CXL AI/ML DRAM
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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