三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。

三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動(dòng)系統等領(lǐng)域更可持續運營(yíng)的基礎。"

AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶(hù)、計算、圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示："創(chuàng )新往往少不了與行業(yè)伙伴的密切合作，來(lái)拓寬技術(shù)的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作，特別是推出在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內存產(chǎn)品。"

這一技術(shù)突破是通過(guò)使用一種新的高介電（high-k）材料來(lái)增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專(zhuān)利設計技術(shù)而實(shí)現的。結合先進(jìn)的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。

基于DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著(zhù)一秒鐘內處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。

新款DRAM同時(shí)擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%，對于更多追求環(huán)保經(jīng)營(yíng)的全球IT企業(yè)來(lái)說(shuō)，這將會(huì )是值得考慮的優(yōu)選解決方案。

隨著(zhù)2023年新款DRAM量產(chǎn)，三星計劃將這一基于先進(jìn)12nm級工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場(chǎng)領(lǐng)域，同時(shí)繼續與行業(yè)伙伴合作，推動(dòng)下一代計算的快速發(fā)展。