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cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱(chēng)熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著(zhù) HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
又一存儲大廠(chǎng)DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM MUF技術(shù)
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠(chǎng)布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
美光內存與存儲是實(shí)現數字孿生的理想之選
- 據 IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素數字化并非一種全新概念，但數字孿生技術(shù)從精確傳感到實(shí)時(shí)計算，再到將海量數據轉為深度洞察，從多方面進(jìn)一步推動(dòng)了設備和運營(yíng)系統優(yōu)化，從而實(shí)現擴大規模并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，啟用人工智能/機器學(xué)習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實(shí)現出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰，就能意識到內存與存儲對于實(shí)現數字孿
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三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
- 三星稱(chēng)其已經(jīng)在美國硅谷開(kāi)設了一個(gè)新的內存研發(fā)（R&D）機構，專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機構將在設備解決方案部門(mén)美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營(yíng)，由三星設備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠(chǎng)商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DRAM 芯片 美光
存儲器廠(chǎng)憂(yōu)DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場(chǎng)擔心稼動(dòng)率回升，破壞以往存儲器大廠(chǎng)減產(chǎn)提價(jià)共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀(guān)察16日存儲器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng )、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現較大盤(pán)弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠(chǎng)產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級，以滿(mǎn)足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長(cháng)郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
漲勢延續，預估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續領(lǐng)漲。目前觀(guān)察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠(chǎng)認為持續性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿(mǎn)足，同時(shí)買(mǎi)方預期DDR4價(jià)格會(huì )持續上漲，帶動(dòng)買(mǎi)方拉貨動(dòng)能延續，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會(huì )擴大。不過(guò)，由于DDR4及DDR5的售價(jià)均尚未達到原廠(chǎng)目標，加上買(mǎi)方仍可接受第一季續漲，故預估整體PC
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM TrendForce
SSD九個(gè)季度以來(lái)首次上漲 廠(chǎng)商們要持續漲價(jià)：漲幅55%只是開(kāi)始
- 1月1日消息，據供應鏈最新消息稱(chēng)，SSD產(chǎn)品九個(gè)季度以來(lái)首次上漲，而廠(chǎng)商擬2024年1-3月后持續要求漲價(jià)。數據顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產(chǎn)品TLC 256GB批發(fā)價(jià)為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價(jià)格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個(gè)季度以來(lái)（2021年7-9月以來(lái)）首度上漲。自2023下半年以來(lái)，存儲芯片價(jià)格一直在上漲。雖然DRAM價(jià)格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價(jià)格在過(guò)去兩個(gè)月飆升了60%-70%。調研機構TrendFo
- 關(guān)鍵字： SSD 漲價(jià) DRAM
全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長(cháng)率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(cháng)到2028年的$84.3B，復合年增長(cháng)率高達11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導體器件價(jià)值約為540美元，在A(yíng)DAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長(cháng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(cháng) 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(cháng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(cháng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規劃依然穩健，由于存儲器價(jià)格漲勢明確，帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢(xún)認為買(mǎi)賣(mài)雙方庫存降低，加上原廠(chǎng)減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價(jià)格的強勁漲勢。集邦咨詢(xún)認為明年第 1 季
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開(kāi) RAM，特別是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類(lèi)。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
- 關(guān)鍵字： DRAM 封裝技術(shù) HBM
DRAM的范式轉變歷程
- 本文總結和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
- 關(guān)鍵字： DRAM
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2023Q3 全球 DRAM 規模 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據市場(chǎng)調查機構集邦咨詢(xún)公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規模合計營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18.0%。集邦咨詢(xún)表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所增長(cháng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠(chǎng)漲價(jià)態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(cháng)幅度有限。三家主流廠(chǎng)商情況細分到各家品牌，三大原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所成長(cháng)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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