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cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng )下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷(xiāo)售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷(xiāo)售額則是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達 132.4 億美元，連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)
- 11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開(kāi)始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠(chǎng)商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(cháng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(cháng)，也就意味著(zhù)主要廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額，環(huán)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達到有史以來(lái)最高水平
- 據外媒報道，在OpenAI訓練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后，外媒就預計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導體行業(yè)的多家廠(chǎng)商，將迎來(lái)新的發(fā)展機遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠(chǎng)商SK海力士就已從人工智能應用需求增加中獲益，他們三季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額達到了35%，占據了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái)，在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
- 關(guān)鍵字： AI SK海力士 DRAM
存儲市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著(zhù)增長(cháng)、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠(chǎng)商減產(chǎn)的效果逐漸顯現，以及特定應用市場(chǎng)的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢(xún)分析預估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會(huì )持續到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個(gè)明顯變化是
- 關(guān)鍵字： 閃存 DRAM NAND
美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內存
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來(lái)的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線(xiàn)程、多核通用計算工作負載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿(mǎn)足它們對
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 128GB RDIMM內存
芯片設計中，DRAM 類(lèi)型的選擇正在變復雜
- 選擇越多，選擇越難。
- 關(guān)鍵字： DRAM
市況好轉 內存廠(chǎng)Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內存市況確立好轉，帶動(dòng)內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀(guān)察第三季內存族群財報，內存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jì)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來(lái)看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠(chǎng)商，則有創(chuàng )見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績(jì)表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務(wù)數
- 關(guān)鍵字： 內存 ?NAND Flash DRAM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會(huì )上，東芯半導體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會(huì )上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
通脹沖擊消費電子終端買(mǎi)氣，2022年DRAM模組廠(chǎng)營(yíng)收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買(mǎi)氣影響，據TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠(chǎng)因供應的領(lǐng)域不同，使得各家營(yíng)收表現差異較大。TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球前五大存儲器模組廠(chǎng)占整體銷(xiāo)售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場(chǎng)的96%營(yíng)業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營(yíng)收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場(chǎng)需求不佳，但基于Kingston品牌規模，加上完整的產(chǎn)品供應鏈，使得其營(yíng)收衰退幅度較小，僅衰
- 關(guān)鍵字： 消費電子 DRAM 模組
三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠(chǎng)商新一輪裝備競賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿(mǎn)挑戰的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著(zhù)美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略據韓國新聞媒體報道，隨著(zhù)拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節點(diǎn)能力來(lái)針對國內需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來(lái)10年內避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
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