EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cxl dram
cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區
通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
合約價(jià)勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(cháng)5.1％，達183.5億美元，推動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠(chǎng)出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠(chǎng)延續著(zhù)2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價(jià)意圖強烈。其中，中系手機銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應用，而consumer DRAM的原廠(chǎng)庫存仍待去化，拖累價(jià)格漲幅居所有應用之
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
合約價(jià)上漲抵消淡季效應，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
- 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)調查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(cháng)5.1%，達183.5億美元，推動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收延續季增趨勢。出貨表現上，第一季三大原廠(chǎng)皆出現季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大原廠(chǎng)延續著(zhù)2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強烈。其中，中系手機銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應用，而Co
- 關(guān)鍵字： 淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時(shí)報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì )上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節點(diǎn)規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
- 關(guān)鍵字： 南亞科技 內存 DRAM
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)
- 據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠(chǎng)，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠(chǎng)房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱(chēng)最快2027年底便可投入營(yíng)運。報道稱(chēng)，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠(chǎng)并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數據中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 日本 EUV
HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
- 三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠(chǎng)提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內存向DDR5內存過(guò)渡，此外在存儲器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著(zhù)三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內存，很可能帶動(dòng)DDR3內存的價(jià)格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶(hù)將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價(jià)格年內也不會(huì )
- 關(guān)鍵字： 海力士 三星 DRAM
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
2025年HBM價(jià)格調漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會(huì )逾三成。2024年HBM
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
SK海力士計劃在清州M15X工廠(chǎng)新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長(cháng)，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì )批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠(chǎng)建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設新工廠(chǎng)。該工廠(chǎng)計劃于4月底開(kāi)始建設，目標是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著(zhù)設備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(cháng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱(chēng)，M15X將成
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM
存儲大廠(chǎng)技術(shù)之爭愈演愈烈
- AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠(chǎng)技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠(chǎng)聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另?yè)I(yè)界預測，三星未來(lái)第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠(chǎng)商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
美光：預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個(gè)位數百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì ) SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個(gè)位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據點(diǎn)。根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)此前報告，地震導致當時(shí)桃園產(chǎn)線(xiàn)上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(cháng)期 DRAM 內存供應能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 美光
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
加注西安工廠(chǎng) 美光期待引領(lǐng)創(chuàng )芯長(cháng)安
- 怎么證明企業(yè)對某個(gè)市場(chǎng)的未來(lái)充滿(mǎn)信心？頻繁來(lái)華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷(xiāo)售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場(chǎng)最有信心的表示當然是加大中國市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠(chǎng)房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠(chǎng)價(jià)值43億元人民幣的擴建工程正式破土動(dòng)工，該項目是2020年以來(lái)國外半導體企業(yè)在國內最大的工廠(chǎng)投資建設工程。據悉，這個(gè)項目除了加建新廠(chǎng)房，還會(huì )引入全新產(chǎn)線(xiàn)，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
cxl dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
cxl dram相關(guān)帖子
cxl dram資料下載
cxl dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473