傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

　　消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠(chǎng)。

　　報道稱(chēng)，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠(chǎng)，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠(chǎng)計劃。

　　市場(chǎng)調研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場(chǎng)，其NAND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(cháng)了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。憑借第三季度的營(yíng)收增長(cháng)，東芝在全球NAND閃存營(yíng)收中所占的份額從第二季度的29.4%，增加到34.6%，從而鞏固了其在該市場(chǎng)上第二的位置。

　　自去年年初以來(lái)，NAND閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格一路上漲，原因是NAND閃存供應商削減產(chǎn)能，應對2008年第四季度和2009年第一季度市場(chǎng)供大于求的局面。去年第二季度，NAND閃存平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲了18.5%，第三季度上漲了40%。與半導體產(chǎn)業(yè)低迷的狀況形成鮮明對比，iSuppli預計去年全球NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收將增長(cháng)16.4%，而全球半導體市場(chǎng)營(yíng)收將下降12.4%。