三星電子：半導體廠(chǎng)房跳電損失估計不到90億韓圜

　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠(chǎng)房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠(chǎng)房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產(chǎn)線(xiàn)。

　　Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報導，三星電子器興市半導體廠(chǎng)房24日突然跳電，其K2、K5廠(chǎng)區在當地時(shí)間下午2時(shí)30分左右斷電，并在3時(shí)35分、5時(shí)38分恢復電力。三星表示，上述廠(chǎng)房的核心生產(chǎn)運作并未中斷，主因廠(chǎng)房設有不斷電系統(UPS)。此外，該公司正在調查斷電原因以及對生產(chǎn)的損害程度。

　　受到三星電子半導體廠(chǎng)房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現貨報價(jià)走勢強勁。根據集邦科技(DRAMeXchange)報價(jià)，截至臺北時(shí)間25日下午6時(shí)為止，DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz勁揚2.46%,報3.08美元;NAND 64Gb 8Gx8 MLC漲1.12%,報15.26美元