三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(cháng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(cháng)11.6%。

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile RAM等存儲器都供給吃緊且價(jià)格喊漲之際，NAND Flash價(jià)格反而持續呈現緩跌，第2季仍是傳統淡季，因此終端需求持續疲弱中。

　　存儲器業(yè)者認為，第1季NAND Flash需求雖然清淡，但因為NAND Flash大廠(chǎng)沒(méi)有太大壓力，加上力守獲利水平，因此價(jià)格跌幅有限，預計要到第3季傳統淡季來(lái)臨，消費性電子產(chǎn)品開(kāi)始展開(kāi)備貨動(dòng)作后，NAND Flash價(jià)格才有反彈機會(huì )。

　　再者，2011年各廠(chǎng)許多新產(chǎn)能要開(kāi)出，以及30奈米制程微縮的產(chǎn)品陸續出籠，也是影響NAND Flash產(chǎn)業(yè)供需的關(guān)鍵。

　　集邦統計指出，全球2010年第1季NAND Flash市場(chǎng)中，三星市占率高達39.2%，東芝以34.4%市占率緊追在后，接著(zhù)是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特爾(Intel)占6.4%。

　　其中，三星第1季NAND Flash芯片的位元成長(cháng)率持續增加，且手機客戶(hù)的訂單也持續回籠，因此第1季營(yíng)收成長(cháng)14.2%，達17.1億美元;而東芝的位元成長(cháng)率也是正向成長(cháng)，第1季營(yíng)收成長(cháng)18.5%，達15.1億美元。

　　再者，美光的市占率持續領(lǐng)先海力士，第1季位元出貨量也是小幅增加，營(yíng)收約3.97億美元，海力士和英特爾的位元成長(cháng)率則約莫持平，營(yíng)收貢獻分別為3.45億美元和2.8億美元。