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臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來(lái)會(huì )使用
- 全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在評估何時(shí)將 ASML 的尖端高數值孔徑 （NA） 機器用于其未來(lái)的工藝節點(diǎn)，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價(jià)值近 4 億美元的機器的速度和精度優(yōu)勢何時(shí)會(huì )超過(guò)芯片制造廠(chǎng)中最昂貴的設備幾乎翻倍的價(jià)格標簽。當被問(wèn)及臺積電是否計劃將這臺機器用于其即將推出的 A14 和未來(lái)節點(diǎn)的增強版本時(shí)，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由?！癆14，我所說(shuō)的增強，在不使用 High-NA 的情況下非?？捎^(guān)。因此，我們的技術(shù)團
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三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團隊來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
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英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產(chǎn)
- 據路透社報道，半導體大廠(chǎng)英特爾近日表示，半導體設備大廠(chǎng)阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠(chǎng)正式投入生產(chǎn)，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱(chēng)，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會(huì )議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數值孔徑光刻機在一個(gè)季度內生產(chǎn)了3萬(wàn)片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數千個(gè)計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進(jìn)設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì )議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時(shí)間和成本。英特爾工廠(chǎng)的早期結果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個(gè)位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個(gè)處
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英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產(chǎn)
- 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進(jìn)曝光機已投產(chǎn)，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產(chǎn) 3 萬(wàn)片晶圓，即生產(chǎn)數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時(shí)落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導致領(lǐng)先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)
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移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運營(yíng)商認證
- 近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過(guò)了北美兩家重要運營(yíng)商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，該模組可滿(mǎn)足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動(dòng)熱點(diǎn)、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩定5G網(wǎng)絡(luò )的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運營(yíng)商認證此前，RG650V系列已通過(guò)了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營(yíng)商的認可，標志著(zhù)搭
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話(huà)會(huì )議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著(zhù)提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠(chǎng)，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)
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ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
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High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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