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ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)
- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
- 關(guān)鍵字： ASML NA EUV 光刻設備
尼康NA超過(guò)1的液浸設備半導體商正式采用
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠(chǎng)商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設備。 這家大型半導體廠(chǎng)商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠實(shí)現很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩定性的問(wèn)題，據稱(chēng)利用名為“Local-fill（局部
- 關(guān)鍵字： NA 尼康 嵌入式系統
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