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5nm 文章 進(jìn)入5nm技術(shù)社區
Intel：10nm不會(huì )像14nm那樣高產(chǎn)、5nm時(shí)代將重奪制程領(lǐng)導地位
- 由于在14nm上?？刻?Intel在名義制程工藝上,已經(jīng)明顯落后臺積電與三星。日前參加大摩TMT會(huì )議時(shí),Intel CFO George Davis坦言,10nm不會(huì )像14nm和22nm那樣高產(chǎn)。他這番話(huà)有兩層意思,一是與14nm并軌的狀態(tài)下,10nm產(chǎn)品本身就有限;二是10nm僅會(huì )改良1~2代(10nm+、10nm++),以便迅速推出7nm。Davis確認,第一代改良的10nm+工藝Tiger Lake處理器會(huì )在今年底推出。他同時(shí)透露,預計2021年底前拿出7nm產(chǎn)品,之后迅速切換到5nm,并重新奪取
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華為今年將量產(chǎn)2顆5nm芯片 Mate 40旗艦首發(fā)麒麟1020
- 雖然三星搶先臺積電首發(fā)了高通的5nm工藝驍龍X60基帶,不過(guò)要到2021年才能出貨,2020年臺積電依然會(huì )是唯一一家大規模量產(chǎn)5nm芯片的代工廠(chǎng),主要客戶(hù)就是華為及蘋(píng)果。根據臺積電的計劃,5nm工藝今年上半年正式量產(chǎn)(正常是Q2季度),2020年下半年,尤其是Q3季度會(huì )是出貨高峰期,因為蘋(píng)果及華為普遍是在9月份發(fā)布新一代旗艦手機,今年是iPhone 12及Mate 40系列。在7nm節點(diǎn)之后,5nm將是臺積電的又一個(gè)重要工藝節點(diǎn),分為N5、N5P兩個(gè)版本,前者相比于N7 7nm工藝性能提升15%、功耗降低
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Intel：10nm不會(huì )像14nm那樣高產(chǎn)、5nm時(shí)代將重奪制程領(lǐng)導地位
- 由于在14nm上?？刻?Intel在名義制程工藝上,已經(jīng)明顯落后臺積電與三星。日前參加大摩TMT會(huì )議時(shí),Intel CFO George Davis坦言,10nm不會(huì )像14nm和22nm那樣高產(chǎn)。他這番話(huà)有兩層意思,一是與14nm并軌的狀態(tài)下,10nm產(chǎn)品本身就有限;二是10nm僅會(huì )改良1~2代(10nm+、10nm++),以便迅速推出7nm。Davis確認,第一代改良的10nm+工藝Tiger Lake處理器會(huì )在今年底推出。他同時(shí)透露,預計2021年底前拿出7nm產(chǎn)品,之后迅速切換到5nm,并重新奪取
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臺積電5nm即將大規模量產(chǎn) 蘋(píng)果承包60%產(chǎn)能
- 據之前消息，目前臺積電的5nm制程工藝進(jìn)展十分順利，基本可以確定將于上半年開(kāi)始量產(chǎn)，并且有望拿到A14處理器的獨家訂單，而屏蘋(píng)果的訂單也將占下5n產(chǎn)能的60%以上。蘋(píng)果將承包臺積電60%以上的5nm產(chǎn)能臺積電副總裁黃仁昭近日透露，得益于行業(yè)領(lǐng)先的7nm技術(shù)在高端智能手機、5G及HPC方面的應用，2019年第四季度，臺積電實(shí)現營(yíng)收3170億新臺幣（約合723億人民幣），環(huán)比增長(cháng)8.3%。毛利率提高2.6%，達到50.2%。5G的快速發(fā)展也將成為臺積電未來(lái)主要增長(cháng)動(dòng)力產(chǎn)業(yè)鏈方面消息顯示，在接下來(lái)的時(shí)間里，5n
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臺積電5nm即將大規模量產(chǎn) 蘋(píng)果承包60%產(chǎn)能
- 據之前消息,目前臺積電的5nm制程工藝進(jìn)展十分順利,基本可以確定將于上半年開(kāi)始量產(chǎn),并且有望拿到A14處理器的獨家訂單,而屏蘋(píng)果的訂單也將占下5n產(chǎn)能的60%以上。蘋(píng)果將承包臺積電60%以上的5nm產(chǎn)能臺積電副總裁黃仁昭近日透露,得益于行業(yè)領(lǐng)先的7nm技術(shù)在高端智能手機、5G及HPC方面的應用,2019年第四季度,臺積電實(shí)現營(yíng)收3170億新臺幣(約合723億人民幣),環(huán)比增長(cháng)8.3%。毛利率提高2.6%,達到50.2%。5G的快速發(fā)展也將成為臺積電未來(lái)主要增長(cháng)動(dòng)力產(chǎn)業(yè)鏈方面消息顯示,在接下來(lái)的時(shí)間里,5n
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Intel最新制程路線(xiàn)圖曝光：10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線(xiàn)圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設備會(huì )議上），有合作伙伴披露了一張號稱(chēng)是Intel 9月份展示的制造工藝路線(xiàn)圖，14nm之后的節點(diǎn)一覽無(wú)余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來(lái)看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開(kāi)發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標定義階段，3nm處于探索、先導階
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臺積電5nm良率已超50% AMD Zen4/蘋(píng)果A14穩了
- 據此前消息，臺積電的5nm制程工藝早在今年在三月份之前就已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段。近日，有知情人士表示，臺積電5nm的生產(chǎn)良率已爬升至50%，預計最快明年第一季度量產(chǎn)。臺積電5nm制程工藝良率爬升至50%消息稱(chēng)，臺積電5nm制程的初期月產(chǎn)能為5萬(wàn)片，后期將逐步增加到7~8萬(wàn)片。從目前的消息來(lái)看，首發(fā)5nm制程的產(chǎn)品應該會(huì )是蘋(píng)果A14芯片。蘋(píng)果A14或首發(fā)5nm制程工藝據了解，目前手機上應用的最先進(jìn)的工藝是7nm，而當初7nm工藝開(kāi)始應用時(shí)就是蘋(píng)果的A12芯片首發(fā)，綜合歷年來(lái)產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間線(xiàn)來(lái)推測，首款搭載5nm
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蘋(píng)果/華為吃光臺積電5nm：AMD得等一年多
- 目前行業(yè)內已量產(chǎn)的最先進(jìn)半導體工藝是7nm EUV，來(lái)自臺積電，而接下來(lái)臺積電將在2020年率先量產(chǎn)5nm工藝，后續的3nm也在快速推進(jìn)中，計劃提前到2022年規模量產(chǎn)。5nm節點(diǎn)上，不出意外的話(huà)蘋(píng)果、華為、AMD等的處理器都會(huì )第一時(shí)間跟進(jìn)，尤其是蘋(píng)果A14、麒麟1000系列，據說(shuō)已經(jīng)在9月份完成流片驗證。另外，AMD Zen4架構處理器也有望上5nm，包括第四代霄龍、第五代銳龍，最快2021年見(jiàn)。還有說(shuō)法稱(chēng)，臺積電5nm的良品率現在已經(jīng)爬升到50％，最快明年第一季度就能投入大規模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能5萬(wàn)片，
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蘋(píng)果A14芯片曝光：首發(fā)臺積電5nm工藝，頻率達3GHz
- 據外媒報道，臺積電有望在2020年上半年交付5nm工藝芯片，其代工廠(chǎng)商已于今年4月開(kāi)始進(jìn)行5nm工藝的實(shí)驗性生產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： 出自：cnBeta A14芯片 5nm 臺積電
三星的6nm、5nm、4nm工藝都是7nm改良：3nm棄用FinFET
- 7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開(kāi)花，Intel的10nm處理器也終于在市場(chǎng)登陸，不過(guò)，對于晶圓巨頭們來(lái)說(shuō)，制程之戰卻越發(fā)膠著(zhù)。在日前一場(chǎng)技術(shù)交流活動(dòng)中，三星重新修訂了未來(lái)節點(diǎn)工藝的細節。三星稱(chēng)，EUV后，他們將在3nm節點(diǎn)首發(fā)GAA MCFET（多橋通道FET）工藝。由于FinFET的限制，預計在5nm節點(diǎn)之后會(huì )被取代。實(shí)際上，5nm在三星手中，也僅僅是7nm LPP的改良，可視為導入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個(gè)迭代版本，分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線(xiàn)圖，
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臺積電5nm明年三月量產(chǎn)：密度提升最多80％
- 據產(chǎn)業(yè)消息，臺積電將從2020年3月開(kāi)始，大規模量產(chǎn)5nm工藝，屆時(shí)芯片公司就可以開(kāi)始用新工藝流片了。很多人一直說(shuō)摩爾定律已死，但是在7nm工藝量產(chǎn)后僅僅兩年，5nm就要成真，真是有點(diǎn)不可思議。7nm+ EUV節點(diǎn)之后，臺積電5nm工藝將更深入地應用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現全面提升，官方宣稱(chēng)相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80％的晶體管密度提升，15％左右的性能提升或者30％左右的功耗降低。這些數據是來(lái)自臺積電在A(yíng)RM A72核心的結果，不同芯片表現肯定不一樣，但無(wú)論性能還是功耗，必然都會(huì )比
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臺積電推出性能增強版的7nm和5nm制造工藝
- 近日外媒消息，臺積電已經(jīng)悄然推出了 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 極紫外（N5 / EUV）制造工藝的性能增強版本。臺積電推出性能增強的7nm和5nm制造工藝其N(xiāo)7P 和 N5P 技術(shù)，專(zhuān)為那些需要運行更快、消耗更少電量的客戶(hù)而設計。盡管 N7P 與 N7 的設計規則相同，但新工藝優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在同等功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。在日本舉辦的 2019 VLSI 研討會(huì )上，臺積電透露了哪些客戶(hù)已經(jīng)可以用上新工藝，但該公司似乎并沒(méi)有廣
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