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semulator3d 文章 進(jìn)入semulator3d技術(shù)社區
使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
- 現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(cháng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗設計 (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個(gè)關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線(xiàn)。這個(gè)工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來(lái)圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時(shí)，每層氮化硅（即將成為字線(xiàn)）的外表變得像
- 關(guān)鍵字： 泛林 SEMulator3D 虛擬工藝
使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著(zhù)技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)，后段器件集成將會(huì )遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現具有挑戰性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點(diǎn)后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類(lèi)是1.5nm節點(diǎn)后段的最小目標金屬間距
- 關(guān)鍵字： 半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
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