1.5nm 文章進(jìn)入1.5nm技術(shù)社區

特斯拉推送 FSD v12.5.1 更新，變道更早、更自然

7 月 28 日消息，特斯拉開(kāi)始向用戶(hù)推送 FSD（Supervised）v12.5.1 更新，據悉該版本包含多項改進(jìn)，包括將城市和高速公路駕駛功能整合，并首次支持 Cybertruck 車(chē)型。特斯拉FSD（Supervised）v12.5.1版本于周五開(kāi)始向部分用戶(hù)的車(chē)輛推送，據 Not a Tesla App 平臺顯示，該更新同 2024.20.15 軟件一起推送。此前數周，馬斯克曾多次預告該版本的部分功能，新版本的一大亮點(diǎn)是更早、更自然的車(chē)道變更。該版本備受期待，因為馬斯克曾在 5 月份表示
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英特爾AI解決方案為最新Meta Llama 3.1模型提供加速

為了推動(dòng)“讓AI無(wú)處不在”的愿景，英特爾在打造AI軟件生態(tài)方面持續投入，并為行業(yè)內一系列全新AI模型提供針對英特爾AI硬件的軟件優(yōu)化。今日，英特爾宣布公司橫跨數據中心、邊緣以及客戶(hù)端AI產(chǎn)品已面向Meta最新推出的大語(yǔ)言模型（LLM）Llama 3.1進(jìn)行優(yōu)化，并公布了一系列性能數據。繼今年4月推出Llama 3之后，Meta于7月24日正式發(fā)布了其功能更強大的AI大模型Llama 3.1。Llama 3.1涵蓋多個(gè)不同規模及功能的全新模型，其中包括目前可獲取的、最大的開(kāi)放基礎模型—— Llama 3.1
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實(shí)測藍牙Mesh 1.1性能更新深入理解并徹底優(yōu)化

藍牙Mesh 1.1版本中引入了遠程配置和無(wú)線(xiàn)裝置韌體更新（OTA DFU）的功能。本文將透過(guò)廣泛部署基于Silicon Labs（芯科科技）的xG24和xG21無(wú)線(xiàn)SoC開(kāi)發(fā)板的節點(diǎn)并組成網(wǎng)絡(luò )，來(lái)分析在多個(gè)測試節點(diǎn)上進(jìn)行的一系列實(shí)驗結果，進(jìn)一步探索藍牙Mesh 1.1網(wǎng)絡(luò )的性能，包括網(wǎng)絡(luò )等待時(shí)間、遠程配置和OTA、DFU性能的詳細測試設置和結果等實(shí)用資料。測試網(wǎng)絡(luò )及條件隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )中節點(diǎn)數量的增加或數據報負載的增加，延遲也會(huì )相應增加。相比于有效負載，網(wǎng)絡(luò )對延遲的影響較小，但后者可能導致延遲大幅增加。測試環(huán)境
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大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案

致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來(lái)，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng )新升級，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來(lái)革命性變革。特別是USB PD3.1快充標準的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹(shù)立了新的里程碑。該標準不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調輸出電壓檔位，可為各種電子設備提供更加靈活
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研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機器視覺(jué)應用智能升級

研華發(fā)布核心模塊ROM-6881，采用SGeT協(xié)會(huì )SMARC2.1標準，集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J，具備強大的計算性能，高AI算力，滿(mǎn)足多媒體處理需求。憑借低功耗，豐富的IO接口設計，ROM-6881實(shí)現高性?xún)r(jià)比、工規可靠、10年生命周期支持，助力機器人，醫療，能源行業(yè)打造更快速，更高效的智能邊緣AI方案。
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臺積電產(chǎn)能供不應求，將針對先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝漲價(jià)

6月17日，據臺媒《工商時(shí)報》報道，在產(chǎn)能供不應求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝執行價(jià)格調漲。其中，3nm代工報價(jià)漲幅或在5%以上，而2025年度先進(jìn)封裝報價(jià)也將上漲10~20%。
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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臺積電準備推出基于12和5nm工藝節點(diǎn)的下一代HBM4基礎芯片

在 HBM4 內存帶來(lái)的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著(zhù)第四代內存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會(huì )像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進(jìn)的封裝方法，以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì )演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來(lái)完成這項任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據有
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14，或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走，很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現，這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
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大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著(zhù)PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿(mǎn)足當前的市場(chǎng)需求。設備制造商需要更新他們的
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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英特爾披露5nm“中國特供版”AI 芯片，性能或暴降92%，最快6月推出

關(guān)于英特爾Gaudi 3的“中國特供版” AI 芯片有了新進(jìn)展。4月15日消息，芯片巨頭英特爾（Intel）日前在官網(wǎng)發(fā)布一份24頁(yè)的“Gaudi 3 AI加速器白皮書(shū)”中披露，英特爾將推出Gaudi 3在中國發(fā)售的兩款“特供版”AI 芯片產(chǎn)品。英特爾Gaudi 3 AI芯片（圖片來(lái)源：Intel官網(wǎng)）具體包括兩種硬件形態(tài)加速卡：一款型號為HL-328的OAM兼容夾層卡（Mezzanine Card），預計將于今年6月24日推出；另一款是型號為HL-388的PCle加速卡，預計將于今年9月24日推出。而基
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

4月11日消息，根據產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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