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5nm
5nm 文章 進(jìn)入5nm技術(shù)社區
后張忠謀時(shí)代，臺積電面臨諸多挑戰
- 張忠謀在當下選擇退休可謂急流勇退，在臺積電正處于巔峰的時(shí)候退休是恰當的時(shí)機，但臺積電面臨挑戰其實(shí)在張忠謀領(lǐng)導下就已出現。
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Synopsys數字和模擬定制設計平臺通過(guò)TSMC 5nm工藝技術(shù)認證
- 全球第一大芯片自動(dòng)化設計解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應商、信息安全和軟件質(zhì)量的全球領(lǐng)導者Synopsys近日宣布， Synopsys 設計平臺獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認證，可用于客戶(hù)先期設計。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作，IC Compiler ? II 的布局及布線(xiàn)解決方案采用下一代布局和合法化技術(shù)，最大限度地提高可布線(xiàn)性和總體設計利用率。借助重要的設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化工作，通過(guò)使用PrimeTime?Signoff和StarRC?提取技術(shù)實(shí)現ECO閉合，IC Compil
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臺積電5nm工廠(chǎng)本周破土：2020年開(kāi)工3nm
- 據臺灣媒體報道，臺積電將于本周在臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(STSP)開(kāi)工建設新的5nm工廠(chǎng)，并將于2020年啟動(dòng)3nm工廠(chǎng)，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺積電一號代工廠(chǎng)的地位。 臺積電董事長(cháng)張忠謀會(huì )出席奠基儀式，這也將是他在今年6月份退休之前，最后一次參加這類(lèi)活動(dòng)。 目前，臺積電正在積極準備量產(chǎn)7nm，預計第二季度即可實(shí)現、第四季度火力全開(kāi)。 更關(guān)鍵的是，臺積電已經(jīng)壟斷了7nm代工市場(chǎng)，收獲了100%的訂單，包括高通驍龍855、蘋(píng)果A12等重磅大單，徹底擊敗三星。 根據路線(xiàn)圖，臺積
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5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專(zhuān)家討論工藝尺寸如何繼續下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專(zhuān)家團成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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Imec：下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制
- 根據比利時(shí)研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴展到超越5納米(nm)節點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec展示的研究計劃專(zhuān)注于實(shí)現高性能邏輯應用的場(chǎng)效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實(shí)現協(xié)同最佳化，證實(shí)了在傳
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下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？
- Imec 開(kāi)發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續到超越 5nm 節點(diǎn)… 根據比利時(shí)研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴展到超越5納米(nm)節點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec開(kāi)發(fā)的下一代5nm 2D通道
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IBM和三星推出5nm工藝，為摩爾定律+1s
- 上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說(shuō)摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應對)，不過(guò)IBM和三星有不同意見(jiàn)。 雷鋒網(wǎng)消息，日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標準的 FinFET 架構，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎。IBM表示，借助該項技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個(gè)晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過(guò)集
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IBM三星攜手研發(fā)5nm芯片：成本更低、性能更強
- 據外媒報道，三星聯(lián)合 IBM 日前宣布了一項名為 nanosheets 的技術(shù)。得益于該技術(shù)，芯片制造商能夠將更多的晶體管容納到更小的芯片組里，他們宣稱(chēng)在 5nm 芯片可以實(shí)現在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管，而當前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數量約為 30 億。 IBM 稱(chēng)，同樣封裝面積晶體管數量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點(diǎn)是，5nm 加持下，現有設備如手機的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就攜手 Glo
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臺積電2019年上半年試產(chǎn)5nm制程
- 晶圓代工龍頭臺積電年度股東常會(huì )將于6月8日登場(chǎng)，并于今(24)日上傳致股東報告書(shū)，當中揭露先進(jìn)制程技術(shù)最新進(jìn)展，其中，7納米已在今年4月開(kāi)始試產(chǎn)，預期良率改善將相當快速，5納米則維持原先計劃，預計2019年上半年試產(chǎn)。 臺積電董事長(cháng)張忠謀指出，去年間與主要客戶(hù)及硅智財供應商攜手合作完成7納米技術(shù)硅智財設計，并開(kāi)始進(jìn)行硅晶驗證，按照計劃在今年4月試產(chǎn)。 5納米部分，張忠謀表示，規劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降低制程復雜度，制程技術(shù)預計2019年上半年試產(chǎn)。 10納米部分則是已在
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臺積電5nm 估2019年完成技術(shù)驗證
- 臺積電物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)處資深處長(cháng)王耀東表示，未來(lái)臺積電成長(cháng)動(dòng)能來(lái)自于高階智慧型手機、高效運算晶片、物聯(lián)網(wǎng)及車(chē)用電子。而臺積電在10奈米技術(shù)開(kāi)發(fā)如預期，今年底可以進(jìn)入量產(chǎn)，第一個(gè)采用10奈米產(chǎn)品已達到滿(mǎn)意良率，目前已經(jīng)有三個(gè)客戶(hù)產(chǎn)品完成設計定案，預期今年底前還有更多客戶(hù)會(huì )完成設計定案，該產(chǎn)品在明年第1季開(kāi)始貢獻營(yíng)收，且在2017年快速提升量產(chǎn)。 7奈米部分，臺積電該部分進(jìn)度優(yōu)異，7奈米在PPA及進(jìn)展時(shí)程均領(lǐng)先競爭對手，兩個(gè)應用平臺高階智慧型手機及高效運算晶片客戶(hù)都積極采用臺積電7奈米先進(jìn)制程技術(shù)，且
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【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線(xiàn)技術(shù)發(fā)展方向明確
- 由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導體互連(布線(xiàn))技術(shù)相關(guān)國際會(huì )議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國圣荷西舉辦。這是該會(huì )議時(shí)隔兩年再次回到美國，共有超過(guò)230人參加，展開(kāi)了積極的討論。 IITC2016的論文數量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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