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fdsoi 文章 進(jìn)入fdsoi技術(shù)社區
格芯技術(shù)大會(huì )攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì )（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業(yè)領(lǐng)導者、客戶(hù)、研究專(zhuān)家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì )者準備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng )新成果，以及包括制程工藝、設計實(shí)現、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì )，本次大會(huì )格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò )和汽車(chē)解決方案智能應用，FDX?、Fi
- 關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程
局部應變技術(shù)可望提高FDSOI性能
- 法國研究機構CEA-Leti宣布開(kāi)發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術(shù)，可望用于實(shí)現更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路?！ ∫夥ò雽w(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進(jìn)晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達到世界級能效的方法，而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本?！ 【Ц裆系膽兺ǔＳ糜谠黾觽鹘y平面CMOS與FinFET CMOS的行動(dòng)性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
- 關(guān)鍵字： FDSOI
法機構將于明年9月啟動(dòng)基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃
- 法國兩家半導體研究機構CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動(dòng)的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一個(gè)專(zhuān)門(mén)研究SOI技術(shù)的學(xué)術(shù)團體EuroSOI+負責參與支持的。 所謂的多項目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設計的IC芯片，這樣可以為多家廠(chǎng)商或研究機構的IC設計驗證節約成本，非常適用于
- 關(guān)鍵字： FDSOI 20nm
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fdsoi介紹
FDSOI技術(shù)即全耗盡型SOI技術(shù)，有些文獻上也寫(xiě)成ETSOI即超薄型SOI，具有非常強的競爭力，適合20nm及更高級別制程的移動(dòng)/消費電子產(chǎn)品使用?！ D-SOI是下一代晶體管結構的熱門(mén)技術(shù)之一。目前制造晶體管的主流技術(shù)是采用體硅技術(shù)制作的32/28nm制程平面型晶體管?！ MD，IBM以及其它部分廠(chǎng)商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術(shù)的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)品。相比之下，In [ 查看詳細 ]
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