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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱(chēng)為T(mén)SV構建的，TSV是首字母縮寫(xiě)，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實(shí)現硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
- 關(guān)鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進(jìn)封裝
市況好轉 內存廠(chǎng)Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內存市況確立好轉，帶動(dòng)內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀(guān)察第三季內存族群財報，內存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jì)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來(lái)看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠(chǎng)商，則有創(chuàng )見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績(jì)表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務(wù)數
- 關(guān)鍵字： 內存 ?NAND Flash DRAM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會(huì )上，東芯半導體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會(huì )上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
SK 海力士
- 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個(gè)利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時(shí)候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話(huà)會(huì )議上，首席財務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長(cháng)，降低了銷(xiāo)售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動(dòng)了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過(guò)了嚴重的低迷期，正在進(jìn)入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過(guò)考慮投資效率和
- 關(guān)鍵字： SK海力士 韓國 NAND
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
NAND閃存市場(chǎng)，開(kāi)始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數據的合并已經(jīng)傳來(lái)消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽(tīng)到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲市場(chǎng)。具體來(lái)看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門(mén)，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
- 關(guān)鍵字： NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠(chǎng)
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。報道中稱(chēng)，三星已開(kāi)始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠(chǎng)陸續引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱(chēng)，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠(chǎng)提供設備，無(wú)需其他許可。據了解，目前三星西安工廠(chǎng)已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
三星西安工廠(chǎng)工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設備
- 據悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠(chǎng)，為完成工廠(chǎng)制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開(kāi)始引進(jìn)新設備。西安工廠(chǎng)是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠(chǎng)內部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預備庫存，采購量會(huì )較實(shí)際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷(xiāo)，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì )社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現推出面向汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線(xiàn)檢測的
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
3D ToF相機于物流倉儲自動(dòng)化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現場(chǎng)精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運車(chē)移動(dòng)順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現爆炸性成長(cháng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導入無(wú)人搬運車(chē)AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字： 3D ToF 相機 物流倉儲 自動(dòng)化 臺達
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
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