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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
意法半導體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果： 適用于機器視覺(jué)和機器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭
- 雙方將通過(guò)立體攝像頭數據融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué)， *AIoT 、AGV小車(chē)和工業(yè)設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動(dòng)物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門(mén)圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上，服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專(zhuān)
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
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如何達到3D位置感測的實(shí)時(shí)控制
- 本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬(wàn)向節馬達系統中的用途；以及介紹高精密度線(xiàn)性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應用中不斷增加，從工業(yè)機器人、自動(dòng)化系統，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇；它們具有高重復性和可靠性，還可以與窗戶(hù)、門(mén)和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時(shí)?；魻栃獋鞲衅餍枰c足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
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全球首款！美光232層NAND客戶(hù)端SSD正式出貨
- 12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶(hù)出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。據官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶(hù)端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶(hù)端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內容創(chuàng )
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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著(zhù)幾大財團的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動(dòng)設備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個(gè)現象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
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大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案
- 2022年11月16日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案的展示板圖 在現代化經(jīng)濟建設和智能管理的驅動(dòng)下，人工智能門(mén)禁系統作為安防基礎核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機關(guān)等單位，對于多功能智能門(mén)禁系統的需求更是日益攀高。在此趨勢下，大
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Arm Immortalis 實(shí)現 3D 游戲新境界
- 新聞重點(diǎn)· 隨著(zhù)業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案，Arm 持續提高安卓生態(tài)系統的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線(xiàn)追蹤，將為高級移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì )和2022年度三星內存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對更高密度、更大容量存儲的需求，推動(dòng)了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱(chēng)，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲系統的數字安全技術(shù)
- NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫療設備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯(lián)的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時(shí)，必須確保存儲器的安全性滿(mǎn)足應用程序的要求。執行現代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個(gè)存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
- 關(guān)鍵字： 存儲系統 數字安全 海派世通 NAND
SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布，成立開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng )意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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西門(mén)子推軟件解決方案 加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測試性設計
- 西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設計（DFT）。隨著(zhù)市場(chǎng)對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著(zhù)嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來(lái)巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門(mén)子推出Tess
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3d-nand介紹
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