3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區

高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎，實(shí)現多個(gè)項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開(kāi)幕，共舉行8個(gè)項目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項目的角逐?！　∑渲?，來(lái)自廣州市工貿技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應用開(kāi)發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個(gè)金牌獲得者?！　?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實(shí)現我國在這兩個(gè)項目上
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備

SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開(kāi)啟存儲技術(shù)創(chuàng )新浪潮

如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰。隨著(zhù)各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng )新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實(shí)時(shí)大數據更新，以及移動(dòng)設備、消費電子、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統帶來(lái)智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過(guò)增加NAN
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。導入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線(xiàn)人員配置的傳統生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時(shí)修復、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩定且
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續跌15～20％

根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著(zhù)重去化庫存而大幅減少采購量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠(chǎng)庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營(yíng)陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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拆機證實(shí)，國行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(cháng)江存儲國產(chǎn) NAND 閃存

IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國廠(chǎng)商長(cháng)江存儲已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋(píng)果也承認正考慮從長(cháng)江存儲采購 NAND 芯片，但僅會(huì )用于在中國銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠(chǎng)商。因此，市場(chǎng)觀(guān)察人士認為，蘋(píng)果與長(cháng)江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進(jìn)一步
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NAND半壁江山三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額

根據市場(chǎng)研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷(xiāo)售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷(xiāo)售額位36.15億美元，環(huán)比增長(cháng)12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商，兩家韓國廠(chǎng)商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
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FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash

江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶(hù)降低整機系統成本，并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監控、網(wǎng)絡(luò )通訊等領(lǐng)域得到廣泛應用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
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三星電子236層NAND閃存預計年內開(kāi)始生產(chǎn)

據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會(huì )在年內開(kāi)始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，負責更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng )下新高。從韓國媒體的報道來(lái)看，三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

半導體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿(mǎn)挑戰。俗話(huà)說(shuō)，“打江山難，守江山更難”，這句話(huà)形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng )新的極限，以推動(dòng)邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機會(huì )讓我們回顧美光取得的輝煌成就。美光一直以來(lái)被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
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集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)

根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層，
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SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應過(guò)剩

芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，需求未見(jiàn)好轉，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉進(jìn)持續，下半年市場(chǎng)供過(guò)于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶(hù)拉貨態(tài)度保守，造成庫存問(wèn)題漫溢至上游供應端，賣(mài)方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢(xún)預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說(shuō)法，雖然仍
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