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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
NAND Flash 大降價(jià),固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待

- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了,目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示,NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng),供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán))是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息,但對于普通消費者來(lái)說(shuō),我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

- 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà),部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等,直到現在電路板才穩定下來(lái),因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示,華為現在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步。
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存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃

- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌,加上庫存水位過(guò)高,終端消費支出持續放緩,據外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash,預計最快2024年問(wèn)世
- 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
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平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng),三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來(lái),這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà),部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等,直到現在電路板才穩定下來(lái),因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示,華為現在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
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均價(jià)跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示,NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng),供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí),客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%,平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%,達
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外媒:存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力??紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計,這一事件引起了我們極大的關(guān)注?!?D?InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新

- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺,包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM 5nm SoC
不是“空中樓閣”:努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內容生態(tài)
- 近日,努比亞宣布,將在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驅動(dòng)3D平板:努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù), 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣(mài)點(diǎn),是否會(huì )向其他同類(lèi)產(chǎn)品一樣,淪為“空中樓閣”。而今天,努比亞打消了用戶(hù)的這一顧慮。今天,努比亞官方宣布, 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態(tài)系統,包含大量運用裸眼3D技術(shù)的App,并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎,以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內容支持。
- 關(guān)鍵字: 努比亞 MWC 3D 游戲引擎
西部數據宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資,NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

- IT之家 2 月 7 日消息,據韓媒 Business Korea 報道,在內存半導體行業(yè)持續低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數據宣布將進(jìn)一步縮減設備投資和生產(chǎn)。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jì)電話(huà)會(huì )議上表示,2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元(當前約 156.17 億元人民幣)。據IT之家了解,這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字: NAND 內存 西部數據
3d-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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