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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱(chēng)為T(mén)SV構建的,TSV是首字母縮寫(xiě),TSV(Through Silicon Via)中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實(shí)現硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù),是實(shí)現3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中,我們將告訴您它們是什么,它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個(gè)月,Santa Clara Universi
  • 關(guān)鍵字: 芯片  TSV  HBM  NAND  先進(jìn)封裝  

先進(jìn)封裝技術(shù)及其對電子產(chǎn)品革新的影響

  • 芯片封裝早已不再僅限于傳統意義上為獨立芯片提供保護和I/O擴展接口,如今有越來(lái)越多的封裝技術(shù)能夠實(shí)現多種不同芯片之間的互聯(lián)。先進(jìn)封裝工藝能提高器件密度并由此減小空間占用,這一點(diǎn)對于手機和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等電子設備的功能疊加來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。芯片封裝行業(yè)的發(fā)展使國際電氣電子工程師協(xié)會(huì )電子元件封裝和生產(chǎn)技術(shù)學(xué)會(huì )(IEEE-CPMT)意識到必須要拓展自身的技術(shù)范疇,并于2017年正式更名為國際電氣電子工程師協(xié)會(huì )電子封裝學(xué)會(huì )(IEEE- EPS)。有一種先進(jìn)封裝技術(shù)被稱(chēng)為“晶圓級封裝”(WLP),即直接在晶圓上完成集成電
  • 關(guān)鍵字: TSV  WLP  

硅3D集成技術(shù)的新挑戰與新機遇

  • 摘要從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù),到高密度的引線(xiàn)混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案,研究人員發(fā)現許多開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的機會(huì )。本文概述了當前新興的硅3D集成技術(shù),討論了圖像傳感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲器和布局先進(jìn)邏輯電路的硅中介層,圍繞3D平臺性能評估,重點(diǎn)介紹硅3D封裝的主要挑戰和技術(shù)發(fā)展。硅的 3D應用機會(huì )從最初為圖像傳感器設計的硅2.5D集成技術(shù)[1],到復雜的高密度的高性能3D系統,硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統芯片(SoC)之外的另一種支持各
  • 關(guān)鍵字: TSV  硅3D  

HBM2E開(kāi)啟超高速存儲器半導體新時(shí)代

  • TSV技術(shù):解鎖HBM無(wú)可比擬的“容量和速度”
  • 關(guān)鍵字: HBM2E  存儲器  TSV  

滿(mǎn)足穿戴式產(chǎn)品對于超小型環(huán)境光傳感器的需求

  • 本文介紹了適合穿戴式產(chǎn)品的超小型環(huán)境光傳感器及ams公司采用TSV制造技術(shù)的TSL2584TSV,其精度與靈敏度更高。
  • 關(guān)鍵字: 穿戴式  環(huán)境光傳感器  TSV  201607  

新興封裝技術(shù):小型化趨勢永無(wú)止境

  • 新興封裝技術(shù)的出現,主要的驅動(dòng)力量就來(lái)自于永無(wú)止境地追求更輕薄短小的智慧型手機。
  • 關(guān)鍵字: 封裝  TSV  

Alchimer與CEA-Leti簽署協(xié)作合約

  • 日前,Alchimer, SA 宣布與法國研究機構CEA-Leti 達成協(xié)作合約,以評估和實(shí)施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專(zhuān)案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
  • 關(guān)鍵字: Alchimer  3D  TSV  

Yole:2017年3D TSV將占總半導體市場(chǎng)9%

  •   市調機構Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調查報告,指出過(guò)去一年來(lái),所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元,而到了2017年,該數字還可望成長(cháng)到400億美元,占總半導體市場(chǎng)的9%。   Yole Developpement的先進(jìn)封裝部市場(chǎng)暨技術(shù)分析師Lionel Cadix 指出,3DIC通常使用TSV 技術(shù)來(lái)堆疊記憶體和邏輯IC,預
  • 關(guān)鍵字: 半導體  3D TSV  

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

  • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時(shí)間會(huì )隨著(zhù)晶體管溝道長(cháng)度尺寸的縮小而縮短,但與此同時(shí)互聯(lián)電路部分的延遲則會(huì )提升。舉例而言,90nm制程晶體管的延遲時(shí)間大約在 1.6ps左右,而此時(shí)互聯(lián)電路中每1mm長(cháng)度尺寸的互聯(lián)線(xiàn)路,其延遲時(shí)間會(huì )
  • 關(guān)鍵字: TSV  研究  技術(shù)  集成  3D  芯片  單片  

電接枝技術(shù)助力高深寬比TSV

  • 3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),從而設計出更小尺寸的通孔,以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間,最終改進(jìn)信號的完整性。事實(shí)上,當前傳統的TSV生產(chǎn)供應鏈已落后于ITRS對其的預測。以干法和濕
  • 關(guān)鍵字: TSV  電接枝  助力    

TSV技術(shù)代工廠(chǎng)商購買(mǎi)廠(chǎng)房擴充產(chǎn)能

  •   通孔硅技術(shù)(TSV)代工廠(chǎng)商Allvia購買(mǎi)了位于Hillsboro Ore的一處制造工廠(chǎng)。   該工廠(chǎng)將用于基于TSV技術(shù)產(chǎn)品的量產(chǎn)。該廠(chǎng)房擁有178000平方英尺的大樓,60000平方英尺的凈化間,并將擴展至80000片平方英尺。   該公司預計該工廠(chǎng)于2010年投入運營(yíng)。
  • 關(guān)鍵字: Allvia  TSV  

集成電路封裝技術(shù)國家工程實(shí)驗室啟動(dòng)

  •   經(jīng)國家發(fā)改委批準,以國內集成電路封測領(lǐng)軍企業(yè)江蘇長(cháng)電科技股份公司為依托,聯(lián)合中科院微電子研究所、清華大學(xué)微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家機構,共同組建的中國首家“高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實(shí)驗室”日前在位于無(wú)錫江陰的長(cháng)電科技掛牌,標志著(zhù)國家重點(diǎn)扶持的集成電路封裝技術(shù)產(chǎn)學(xué)研相結合的工程實(shí)驗平臺正式啟動(dòng)。   近年來(lái),國內外集成電路( IC)市場(chǎng)的需求不斷上升,產(chǎn)業(yè)規模發(fā)展迅速, IC產(chǎn)業(yè)已成為國民經(jīng)濟發(fā)展的關(guān)鍵。旺盛的封測市場(chǎng)需求給國內的封測企業(yè)帶來(lái)了良好的發(fā)
  • 關(guān)鍵字: 集成電路  WLCSP  SiP  封測  IC封裝  FCBGA  TSV  MIS  

MEMS市場(chǎng)繼續增長(cháng)機會(huì )多

  •   按Yole Developpement報道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過(guò)的停滯,2008年的銷(xiāo)售額下降2%,達68億美元,其2009年非??赡茉鲩L(cháng)率小于1%。然而當汽車(chē)電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場(chǎng)隨著(zhù)全球經(jīng)濟下滑時(shí),許多新的MEMS應用卻得到切實(shí)的增長(cháng)。   MEMS在消費類(lèi)電子產(chǎn)品中,如加速度計,陀螺儀的市場(chǎng)繼續看好,推動(dòng)供應商如STMicron(日內瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷(xiāo)售額有10-30%增長(cháng)。隨著(zhù)MEMS在醫療電子和診斷設備的應用擴大,其市場(chǎng)繼續增大。今年新
  • 關(guān)鍵字: MEMS  傳感器  CMOS  芯片堆疊封裝  TSV  納米印刷  

超高去除速率銅CMP研磨劑的開(kāi)發(fā)

2009年晶圓級封裝趨勢

  •   專(zhuān)家認為,受持續增長(cháng)的移動(dòng)設備和汽車(chē)應用需求的驅動(dòng),晶圓級封裝(WLP)將向I/O數更高和引腳節距更小的方向發(fā)展。2009年其他需要關(guān)注的WLP趨勢還包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式閃存。
  • 關(guān)鍵字: ASE  晶圓級封裝  TSV  
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tsv介紹

TSV  TSV的英文全拼是“Through Silicon Vias”,中文意思為“通過(guò)硅片通道”。   英特爾公司首席技術(shù)官賈斯廷·拉特納表示,TSV技術(shù)是英特爾公司的工程師首先為未來(lái)的80核處理器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的。這項技術(shù)的實(shí)質(zhì),是每一個(gè)處理內核通過(guò)一個(gè)TSV通道直接連接一顆256KB的內存芯片(充當了緩存),隨著(zhù)緩存數量的增加,這些緩存將可以替代另外的內存芯片。   拉特納指出,雖然TSV技 [ 查看詳細 ]

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