3d-mimo 文章進(jìn)入3d-mimo技術(shù)社區

西門(mén)子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測試性設計

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設計（DFT）。隨著(zhù)市場(chǎng)對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著(zhù)嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來(lái)巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門(mén)子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎，實(shí)現多個(gè)項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開(kāi)幕，共舉行8個(gè)項目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項目的角逐?！　∑渲?，來(lái)自廣州市工貿技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應用開(kāi)發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個(gè)金牌獲得者?！　?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實(shí)現我國在這兩個(gè)項目上
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。導入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線(xiàn)人員配置的傳統生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時(shí)修復、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩定且
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級

近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
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長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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MaxLinear 與 Qorvo 合作，為大規模 MIMO 無(wú)線(xiàn)電解決方案提供高效功率放大器

MaxLinear Inc.和 Qorvo今天宣布推出一項聯(lián)合解決方案，旨在應對 32x32 和 64x64 大規模 MIMO 無(wú)線(xiàn)電在尺寸、重量和功耗方面的關(guān)鍵挑戰。該解決方案支持高效功率放大器 (PA)，減小了無(wú)線(xiàn)電的功率、重量和體積，使大規模 MIMO 無(wú)線(xiàn)電更加實(shí)用。此外，此解決方案在功耗和功率損耗方面為每個(gè)多元件無(wú)線(xiàn)電節省了數百瓦的功率。MaxLIN? 線(xiàn)性化技術(shù)與 Qorvo 的 GaN 高效功率放大器 QPD0011J Doherty 功率放大器（由 QPD0006 驅動(dòng)）相結合，在 41.
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標準的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監控系統中發(fā)揮著(zhù)著(zhù)舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng )新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對于滿(mǎn)足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實(shí)現自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫療應用

增強現實(shí)（AR）應用將從根本上改變人類(lèi)的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級應用而設計，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當人們在75年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng )舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內將一組靜態(tài)影像變成數字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項稱(chēng)為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預估光線(xiàn)在真實(shí)世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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