中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。

長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內奇跡般的崛起，擁有全領(lǐng)域最高單位面積的存儲密度，這些，長(cháng)江存儲只用了3年的時(shí)間，完成了同領(lǐng)域需要6年才能走完的路。

懂行的朋友應該清楚，三星在存儲芯片的層數最高量產(chǎn)也就是192層，也就是現在的世界頂尖水平，200層以上，韓國三星還沒(méi)能突破技術(shù)瓶頸，無(wú)法達到量產(chǎn)的水平。此前，長(cháng)江存儲已經(jīng) 推出了UFS3.1規格通用閃存芯片--UC023，要知道，在這一方面，NAND閃存的最高規格也就是US3.1，至于更高更先進(jìn)的，韓國三星還僅存在于理論層面，沒(méi)有技術(shù)支持，那么，這些意味著(zhù)什么呢？

科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力，創(chuàng )新是引領(lǐng)發(fā)展的第一動(dòng)力，長(cháng)江存儲的技術(shù)突破帶領(lǐng)國家發(fā)展走向更加現代化、科技化的道路，長(cháng)江存儲的成功，離不開(kāi)自身對科研發(fā)展的熱愛(ài)和追求，同時(shí)也離不開(kāi)國家對科研工作的大力支持?，F在長(cháng)江存儲的NAND 閃存芯片應用非常廣泛，依托中國這個(gè)全球最大的市場(chǎng)，加上中國力推芯片自主化，長(cháng)江存儲得到了前所未有的發(fā)展機遇，如今除了華為，長(cháng)江存儲也打入了蘋(píng)果供應鏈，為iPhone SE 3供應閃存芯片，這也是中國科技力量最好的體現。

當然，客觀(guān)來(lái)講，我們在這一領(lǐng)域需要努力的地方還有很多，畢竟我國起步較晚，加上西方國家對核心技術(shù)的惡意封鎖，導致我們需要付出比常人更多的努力，但從成果來(lái)看，我們已經(jīng)取得了跨越性進(jìn)步。另外，在行業(yè)里看，其他廠(chǎng)商的發(fā)展速度也不能忽視，三星還在追趕224層3D閃存芯片的量產(chǎn)計劃，所以從這個(gè)維度來(lái)看，我們離全球最頂尖水平還有1到2年的時(shí)間，不過(guò)我們相信，用不了多久，一定可以消除這個(gè)差距。

總體來(lái)講，長(cháng)江存儲的192層3D NAND閃存芯片，是中國芯片發(fā)展的一大里程碑，同時(shí)它也意味著(zhù)，國產(chǎn)存儲芯片在追趕美國、韓國頂尖企業(yè)的道路上，又邁進(jìn)了一大步，由此可以帶動(dòng)其他芯片技術(shù)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，只有掌握科學(xué)技術(shù)的核心，才能真正改變人類(lèi)生產(chǎn)生活的方式，進(jìn)而影響世界發(fā)展格局，這些都是我們努力就可以做到的事情，弘揚科學(xué)精神、傳播科學(xué)思想，是我們新一代年輕人應該為社會(huì )發(fā)展、構建人類(lèi)命運共同體做出的貢獻。