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3d-mimo 文章 進(jìn)入3d-mimo技術(shù)社區
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠(chǎng)布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
NI 全新MIMO參考架構亮相，有了它，6G研究更easy
- 12月初，我國6G推進(jìn)組組長(cháng)、中國信息通信研究院副院長(cháng)王志勤介紹，6G技術(shù)的商用時(shí)間基本上是在2030年左右，標準化制定時(shí)間會(huì )在2025年。為更好地應對6G研究挑戰，NI推出全新MIMO 參考架構，通過(guò)USRP X410 配合專(zhuān)業(yè)應用程序包，支持研究人員在5G / 6G 領(lǐng)域的探索。01 NI認為6G的探索將圍繞三大關(guān)鍵技術(shù)展開(kāi)6G無(wú)線(xiàn)技術(shù)是目前正在開(kāi)發(fā)的最新也是最先進(jìn)的蜂窩通信形式，預計將會(huì )帶來(lái)比5G無(wú)線(xiàn)技術(shù)更快的速度、更低的延遲和更先進(jìn)的功能。6G網(wǎng)絡(luò )將助力實(shí)現真實(shí)物理世界與虛擬數字世界的深度融合，構
- 關(guān)鍵字： 6G NI MIMO 參考架構
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖
- 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新ASIL C級雜散場(chǎng)穩健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場(chǎng)補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車(chē)應用場(chǎng)景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤(pán)位置檢測、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì )社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì )社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現推出面向汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線(xiàn)檢測的
- 關(guān)鍵字： TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF相機于物流倉儲自動(dòng)化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現場(chǎng)精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運車(chē)移動(dòng)順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現爆炸性成長(cháng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導入無(wú)人搬運車(chē)AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字： 3D ToF 相機 物流倉儲 自動(dòng)化 臺達
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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是德科技攜手泰爾終端實(shí)驗室(CTTL) 完成首個(gè)CTIA MIMO OTA動(dòng)態(tài)信道模型測試系統驗證
- · 此次合作成功驗證 5G NR FR1 首個(gè)動(dòng)態(tài) MIMO OTA信道模型· 該解決方案可以對不同的終端設備制造商以及芯片組供應商的實(shí)際性能進(jìn)行測試驗證是德科技（Keysight Technologies, Inc.）日前宣布，該公司與泰爾終端實(shí)驗室依據CTIA定義的5G NR FR1標準要求，共同構建了首個(gè) MIMO OTA動(dòng)態(tài)信道模型測試和終端用戶(hù)設備性能驗證系統。是德科技攜手泰爾終端實(shí)驗室(CTTL)
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像
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