存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。

這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。

而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。

可見(jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星、美光這樣的頂級大廠(chǎng)，大家差不多處于同一水平線(xiàn)了。

而仔細說(shuō)起來(lái)，國產(chǎn)存儲芯片從之前的落后20年，到現在追上頂級水平，其實(shí)只花了6年時(shí)間。

長(cháng)江存儲是2016年成立的，總投資1600億元，預計建設目標是總產(chǎn)能30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，拿下全球20%以上的市場(chǎng)份額，成為全球知名的NAND閃存廠(chǎng)商。

而2016年時(shí)，國內在存儲芯片上基本一片空白，落后國外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長(cháng)江存儲，覺(jué)得可能需要很久的時(shí)候，才有可能追上三星、美光等。

不曾想長(cháng)江存儲進(jìn)度非?？?，2017年就研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，然后在2018年實(shí)現了量產(chǎn)，雖然落后國外很多，但有了0的突破。

后來(lái)長(cháng)江存儲又自研出了Xtacking架構，大幅度的提高了存儲密度。并在2019年9月份，基于自研Xtacking架構，推出了64層3D NAND Flash，拉近了與三星、美光之間的差距。

接著(zhù)長(cháng)江存儲實(shí)現了跳躍式發(fā)展，跳過(guò)了96層，直接在2020年4月，發(fā)布了128層3D NAND 閃存，再次縮小與三星、美光的差距。

并且基于Xtacking架構，長(cháng)江存儲128層堆疊的NAND閃存芯片，其存儲密度達到了8.48 Gb/mm2，遠高于三星、美光、SK海力士等一線(xiàn)NAND芯片大廠(chǎng)。

可能很多人不理解，堆疊層數多少有什么意義？在存儲芯片領(lǐng)域，堆疊層數越高，意味著(zhù)工藝越先進(jìn)，意味著(zhù)存儲密度越高，芯片的成本越低，尺寸越小。

大家原本以為，長(cháng)江存儲從128層跨越到232層，可能需要幾年時(shí)間，不曾想在美光、三星進(jìn)入232層時(shí)，長(cháng)江存儲馬上也追了上來(lái)。

而按照機構的數據，2021年，國產(chǎn)存儲芯片的市場(chǎng)份額為4%，而2022年可以達到7%左右，而2023年預計會(huì )達到12-15%。

這也就意味著(zhù)，長(cháng)江存儲真的花了6年多一點(diǎn)的時(shí)間，就把原本落后至少20多年的存儲芯片技術(shù)，追了上來(lái)，市場(chǎng)也是飛速增長(cháng)，這實(shí)在是太牛了。

而長(cháng)江存儲也給大家證明了一個(gè)事實(shí)，那就是只要認真扎實(shí)去研發(fā)，芯片技術(shù)一樣難不倒我們。