國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。

長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。

2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。

為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

長(cháng)江存儲只用了3年的時(shí)間，就實(shí)現了從32層到128層的跨越，完成同領(lǐng)域企業(yè)6年走過(guò)的路。

4月份，長(cháng)江存儲推出了一款高速UFS 3.1閃存芯片，性能方面與當下最優(yōu)秀的各家大廠(chǎng)相比，完全不落下風(fēng)。

例如，行業(yè)里最好的三星UFS 3.1閃存芯片，其512GB版讀取速度2100MB/s，寫(xiě)入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s，寫(xiě)入速度1250MB/s，可以說(shuō)不分伯仲，2款芯片都處于行業(yè)里最頂尖的水平。

美光在去年發(fā)布了176層的UFS 3.1閃存，但其讀取速度只有1500MB/s，而寫(xiě)入速度卻未進(jìn)行公布，估計是因為性能上占不到優(yōu)勢。所以說(shuō)，長(cháng)江存儲的閃存芯片，已經(jīng)非常優(yōu)秀了。

另外，根據業(yè)內傳出消息稱(chēng)，長(cháng)江存儲也打入蘋(píng)果供應鏈，為iPhone SE 3供應閃存芯片，這也是最好的證明。

當然，從時(shí)間維度上來(lái)看，我們還處于落后，例如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片，但是我們起步晚，目前來(lái)說(shuō)已經(jīng)取得了飛速的進(jìn)步。

當然，從行業(yè)里來(lái)看，其他廠(chǎng)商也在加大研發(fā)力度，例如，近日美光發(fā)布了業(yè)界首個(gè)232層3D閃存芯片，預計年底或者明年開(kāi)始量產(chǎn)。

三星也發(fā)布了224層3D閃存芯片，同樣預計年底量產(chǎn)。

另外三星還宣布，已經(jīng)研發(fā)出UFS 4.0閃存芯片，每通道帶寬速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的兩倍，基于三星第七代V-NAND閃存和自研主控，可以實(shí)現高達4200MB/s的順序讀取速度和高達2800MB/s的寫(xiě)入速度，為當今性能最高的閃存芯片。

所以如果從相似規格或者相近性能角度來(lái)說(shuō)，我們的國產(chǎn)閃存芯片還落后世界頂尖水平1-2年時(shí)間。但我相信，用不了多久，一定可以追上這個(gè)差距。

除了在技術(shù)方面，國產(chǎn)閃存的產(chǎn)能上也略顯不足。目前，長(cháng)江存儲已經(jīng)將月產(chǎn)量擴大至10萬(wàn)片晶圓，并且隨著(zhù)武漢的工廠(chǎng)二期項目的建設，預計到2023年底，長(cháng)江存儲月產(chǎn)量可能超過(guò)20萬(wàn)片，全球市場(chǎng)份額也有望達到7-8%。但是與行業(yè)大廠(chǎng)相比，還是有很大的差距。

總之，192層3D NAND閃存芯片，將是長(cháng)江存儲發(fā)展過(guò)程中的一個(gè)里程碑，同時(shí)它也意味著(zhù)，國產(chǎn)存儲芯片在追趕美國、韓國頂尖企業(yè)的道路上，又前進(jìn)了一大步。并且在這個(gè)領(lǐng)域，我們已經(jīng)完全不用懼怕國外的打壓和封鎖，不會(huì )存在卡脖子的難題。