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突破瓶頸，英特爾重塑數據中心存儲架構
- 2018年12月11日，以“智數據·創(chuàng )未來(lái)”為主題的2018中國存儲與數據峰會(huì )在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會(huì )匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家，就數據洪流時(shí)代下，企業(yè)如何實(shí)施數據戰略、深挖數據價(jià)值，變數據資源為實(shí)現更廣泛商業(yè)價(jià)值的數據資產(chǎn)等話(huà)題展開(kāi)深入探討。
- 關(guān)鍵字： 數據 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò)，2019年閃存價(jià)格恐跌40%
- CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿易戰壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續加劇，各家廠(chǎng)商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(cháng)，也因此第三季度閃存平均銷(xiāo)售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(cháng)幅度來(lái)到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長(cháng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
- 關(guān)鍵字： 閃存 3D-NAND
e絡(luò )盟3D打印產(chǎn)品線(xiàn)再添新供應商MakerGear
- 全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商e絡(luò )盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機，進(jìn)一步擴充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統技術(shù)和市場(chǎng)領(lǐng)航者，其打印機旨在加速終端應用部件和設備的原型設計及生產(chǎn)?！ 癕akerGear打印機的設計、構建、制造和檢驗均符合業(yè)界標準，確保為專(zhuān)業(yè)人士和創(chuàng )客提供最優(yōu)性能?！?Premier Farnell 和 e絡(luò )盟全球測試和工具主管 James McGregor表示，“作為開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商，我們致力于為客戶(hù)進(jìn)行創(chuàng )新設計、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術(shù)
- 關(guān)鍵字： e絡(luò )盟 3D 打印
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng )新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會(huì )展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來(lái)自中國、歐洲及其他國家的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現場(chǎng)觀(guān)眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來(lái)的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
Massive MIMO是5G普及的關(guān)鍵
- 2018年是5G部署關(guān)鍵性的一年，今年6月份3GPP組織正式發(fā)布第一版5G標準(R15行動(dòng)通信技術(shù)標準)，預示著(zhù)5G商用化已經(jīng)提上日程，并且正在加快速度向人們走來(lái)。當前中國工信部已經(jīng)確立了5G中頻頻段為3.3-3.6GHz、4.8-5GHz，但國際主流頻段為28GHz，同時(shí)由于中低頻段資源有限，因此大部分5G網(wǎng)絡(luò )未來(lái)將部署在高頻頻段，及毫米波頻段，而5G的一項關(guān)鍵性技術(shù)——大規模天線(xiàn)技術(shù)(Massive MIMO)的出現，或許可以解決5G當前所面臨的問(wèn)題，例如高企的建設成本?！ 〗陙?lái)，隨著(zhù)5G標準的
- 關(guān)鍵字： MIMO 5G
晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(cháng)至全球半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位?！ ?014年中國成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國集成電路供應鏈的迅速增長(cháng)，目前已成為全球半導體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設項目，代工廠(chǎng)、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
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