EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
2nm!
2nm! 文章 進(jìn)入2nm!技術(shù)社區
客戶(hù)對2nm期望更高！消息稱(chēng)臺積電多家客戶(hù)修正制程計劃
- 據媒體引述半導體設備業(yè)者表示，2023全年，臺積電3nm產(chǎn)能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據報道，由于臺積電3nm在PPA表現下與4nm差異不大，且3nm報價(jià)漲至2萬(wàn)美元，只有蘋(píng)果有8折優(yōu)惠，目前有多家客戶(hù)已修正制程規劃，調整投片與訂單，包括拉長(cháng)4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進(jìn)度，等待2nmGAA制程世代再重押。報道稱(chēng)，雖然臺積電產(chǎn)能布局可能被打亂，但客戶(hù)黏著(zhù)度更高，對于2nm GAA世代相當有信心，已采用4/3nm的客戶(hù)，幾乎皆有2nm投片規劃。從3nm工藝上看，臺積電曾表示
- 關(guān)鍵字： 2nm 臺積電 制程
淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管：臺積電重申2025量產(chǎn)2nm
- 在今天的說(shuō)法會(huì )上，臺積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶(hù)下單，再下一代的是2nm工藝，臺積電CEO重申會(huì )在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺積電2nm工藝會(huì )有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過(guò)2nm工藝的晶體管密度可能會(huì )擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 工藝 2nm
2nm？沒(méi)那么簡(jiǎn)單！
- 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布稱(chēng)，為量產(chǎn)2納米邏輯半導體，雙方建立了合作關(guān)系。IBM長(cháng)年以來(lái)一直積極進(jìn)行研發(fā)尖端半導體，且曾經(jīng)在美國紐約州擁有自己的300毫米晶圓工廠(chǎng)（于2014年轉給Global Foundries，后來(lái)，該工廠(chǎng)被安森美收購）。此外，IBM也在為自己品牌下的電腦生產(chǎn)所需半導體，同時(shí)也為客戶(hù)提供尖端工藝的技術(shù)研發(fā)服務(wù)和晶圓代工服務(wù)。IBM的尖端工藝技術(shù)研發(fā)服務(wù)作為一項Common Platform，通過(guò)創(chuàng )建通用型工藝技術(shù)和生產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，有效降低了研發(fā)成本、并確保了第二供應商資
- 關(guān)鍵字： 2nm
臺積電正式量產(chǎn)3nm芯片，并宣布2nm廠(chǎng)落地新竹和臺中
- 鈦媒體App 12月29日消息，晶圓代工龍頭臺積電（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在臺南科學(xué)園區Fab 18廠(chǎng)新建工程基地舉行3納米（nm）量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮，正式宣布3nm芯片即日起開(kāi)始量產(chǎn)。臺積電表示，這是該公司在先進(jìn)制程締造的重要里程碑。臺積電董事長(cháng)劉德音（Mark Liu）在演講中表示，今天3nm制程良率已經(jīng)和5nm量產(chǎn)同期良率相當，臺積電已經(jīng)與客戶(hù)開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品，并開(kāi)始量產(chǎn)，應用在超級電腦、云計算、數據中心、高速通訊網(wǎng)絡(luò )以及許多智能設備，包括未來(lái)的AR/VR等。而相較于5nm，3nm制程邏輯
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm
聯(lián)盟IBM 日本找來(lái)2大高手攻關(guān)2nm工藝：最快2025年量產(chǎn)
- 20世紀80年代，日本是全球的半導體霸主，一度嚴重威脅了美國公司地位，之后被打壓，現在只在個(gè)別領(lǐng)域還有優(yōu)勢，先進(jìn)工藝上已經(jīng)落后當前水平10到20年，不過(guò)日本已經(jīng)制定復興計劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。此前報道就指出，日本要想攻關(guān)2nm先進(jìn)工藝，潛在的合作對象就是IBM公司，后者也在日前發(fā)布聲明，確認跟日本Rapidus公司達成合作，雙方將成立研發(fā)機構，IBM會(huì )派遣員工參與合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大電子巨頭聯(lián)合成立的半導體公司，吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8
- 關(guān)鍵字： IBM 日本 Rapidus 2nm
2nm芯片到底有多燒錢(qián)你想象不到 光開(kāi)發(fā)就要50億
- 都說(shuō)芯片燒錢(qián)，但芯片到底有多燒錢(qián)大家還沒(méi)有一個(gè)清晰的認知，尤其是芯片工藝越來(lái)越先進(jìn)，其燒錢(qián)的規?？芍^呈幾何級增長(cháng)。從研發(fā)成本端來(lái)看，其中28nm工藝只要4280萬(wàn)美元，22nm工藝需要6300萬(wàn)美元，16nm工藝需要8960萬(wàn)美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開(kāi)發(fā)資金則要達7.2億美元，約合人民幣50億。當然，這還只是研發(fā)層面的費用，而3nm、2nm工藝工廠(chǎng)建設則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產(chǎn)費用，可見(jiàn)這簡(jiǎn)直是十分燒錢(qián)的行為。顯然，照這樣發(fā)展下去，未來(lái)2nm的CPU及顯卡就算
- 關(guān)鍵字： 2nm
日本富士通擬自行設計 2nm 芯片，委托臺積電代工
- IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠(chǎng)富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進(jìn)半導體，并打算委托臺積電代工生產(chǎn)。據《日本經(jīng)濟新聞》報道，富士通首席技術(shù)官 Vivek Mahajan 周二在一場(chǎng)記者會(huì )上表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進(jìn)半導體，打算委托晶圓代工龍頭臺積電代為生產(chǎn)。報道指出，富士通目標最快在 2026 年完成搭載該芯片的節能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺積電目前計劃在 2025 年量產(chǎn) 2 納米的芯片，該公司的先進(jìn)制程技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 富士通 2nm 臺積電
消息稱(chēng)AMD CEO蘇姿豐將親自造訪(fǎng)臺積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能
- 據國外媒體報道，AMD首席執行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區，探索與當地合作伙伴的合作。蘇姿豐前往臺灣地區的主要原因似乎是與臺積電會(huì )面，與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級（N2）制造技術(shù)的使用以及未來(lái)的短期和長(cháng)期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來(lái)節點(diǎn)的晶圓分配。AMD近年來(lái)取得的顯著(zhù)成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線(xiàn)才剛開(kāi)始向5nm制程節點(diǎn)切換，并且臺積電的2
- 關(guān)鍵字： AMD 蘇姿豐 臺積電 2nm 3nm 芯片
臺積電2nm預計2025年量產(chǎn)
- 據臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠(chǎng)臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠(chǎng)預計于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，FinFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì )遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構生
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm
3nm彎道超車(chē)臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā)：3年后量產(chǎn)
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車(chē)，后者的3nm今年下半年才會(huì )量產(chǎn)。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比，新開(kāi)發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會(huì )迎
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm GAP
臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%
- 日前，臺積電全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著(zhù)還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話(huà)，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm
臺積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競爭賽道進(jìn)入預熱模式
- 據國外媒體報道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預計在明年年中就將開(kāi)始風(fēng)險試產(chǎn) ——?也就意味著(zhù)臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠(chǎng)計劃，設廠(chǎng)面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng )造4500個(gè)工作機會(huì )。以投資規模及近百公頃設廠(chǎng)土地面積研判，除了規劃2nm廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 制程 工藝
2nm!介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條2nm!!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對2nm!的理解，并與今后在此搜索2nm!的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對2nm!的理解，并與今后在此搜索2nm!的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
2nm!專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473