淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管：臺積電重申2025量產(chǎn)2nm

在今天的說(shuō)法會(huì )上，臺積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶(hù)下單，再下一代的是2nm工藝，臺積電CEO重申會(huì )在2025年量產(chǎn)。

與3nm工藝相比，臺積電2nm工藝會(huì )有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。

相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

不過(guò)2nm工藝的晶體管密度可能會(huì )擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，遠低于以往至少70%的晶體管密度提升。