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2nm!
2nm! 文章 進(jìn)入2nm!技術(shù)社區
臺積電將砸 1 萬(wàn)億擴大 2nm 產(chǎn)能，目標 2025 年量產(chǎn)
- 6月6日消息，據臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電將砸1萬(wàn)億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設半導體產(chǎn)業(yè)鏈園區?！ ∨_積電總裁魏哲家在4月14日召開(kāi)的法說(shuō)會(huì )上表示，臺積電2nm預期會(huì )是最成熟與最適合技術(shù)來(lái)支持客戶(hù)成長(cháng)，臺積電目標是在2025年量產(chǎn)?！ ∨_積電將在2nm的節點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠(chǎng)
- 由于半導體芯片產(chǎn)能緊缺，臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠(chǎng)，蓋長(cháng)的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn)，重量只有傳統紅磚的一半左右，是很多工廠(chǎng)及房產(chǎn)建設中都需要的材料。對臺積電來(lái)說(shuō)，一方面它們自己建設晶圓廠(chǎng)需要大量白磚，另一方面它們在當地某個(gè)城市建設晶圓廠(chǎng)，往往還會(huì )
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英特爾與臺積電合作開(kāi)發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)
- 此前有消息稱(chēng)英特爾已經(jīng)拿了臺積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱(chēng)英特爾現在又要跟臺積電合作開(kāi)發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會(huì )將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時(shí)也開(kāi)始跟臺積電討論合作開(kāi)發(fā)2nm工藝。不過(guò)這一說(shuō)法還沒(méi)有得到英特爾或者臺積電的證實(shí)，考慮到這是高度機密的信息，一時(shí)間也不會(huì )有官方確認的可能。據悉，臺積電3nm的量產(chǎn)時(shí)間預計2022年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋(píng)果和英特爾均分。至于未來(lái)的2nm工藝，臺積電將在2nm節點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構并采用新的材料，預計會(huì )在2025年
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三星高調宣布2025年投入2nm量產(chǎn)
- 韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認將導入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來(lái)新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會(huì )中提到三星過(guò)去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時(shí)要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規劃
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2nm工藝要上線(xiàn)？臺積電工廠(chǎng)環(huán)評被卡
- 芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線(xiàn)，但是由于環(huán)評專(zhuān)案小組的初審，建廠(chǎng)計劃未能放行，還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上，臺積電一枝獨秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會(huì )啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級很大，光是工廠(chǎng)建設就要200億美元。臺積電不過(guò)臺積電的2nm工廠(chǎng)建設計劃現在遇到了阻力。消息稱(chēng)，新竹科學(xué)園區擬展開(kāi)寶山用地第二期擴建計劃，環(huán)保部門(mén)于25日下午召開(kāi)環(huán)評專(zhuān)案小組第三次初審會(huì )議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專(zhuān)案小組歷經(jīng)逾三小時(shí)審議后，最終仍
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歐盟半導體“不再幼稚”：10年內產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝
- 半導體技術(shù)的重要性已經(jīng)無(wú)需多提，現在美國、中國、日本、韓國等國家和地區都在大力投資先進(jìn)半導體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據報道，歐盟市場(chǎng)專(zhuān)員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪(fǎng)中表示，歐盟需要恢復以前的市場(chǎng)份額，以滿(mǎn)足行業(yè)的需求。他還提到，多年來(lái)歐盟在半導體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區過(guò)于幼稚、過(guò)于相信全球化。歐盟委員會(huì )制定的計劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場(chǎng)份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個(gè)
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臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開(kāi)發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠(chǎng)，擁有近500個(gè)客戶(hù)，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶(hù)提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰，而且未來(lái)幾年也不會(huì )臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進(jìn)節點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大，擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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全球沖刺2nm，臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？
- 前兩天，臺媒報道稱(chēng)臺積電將投資187億人民幣在南京廠(chǎng)建置月產(chǎn)4萬(wàn)片的28nm產(chǎn)能，據悉，該計劃將于不久后正式啟動(dòng)，新產(chǎn)能預計在2022年下半年開(kāi)始逐步產(chǎn)出，并于2023年實(shí)現月產(chǎn)4萬(wàn)片的目標。當臺積電傳來(lái)擴增28nm產(chǎn)能的消息時(shí)，大部分人對此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候，它也應該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上，投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一，而其從始至終
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臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)，臺積電在7nm、5nm節點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對手，明年面還會(huì )量產(chǎn)3nm工藝，接下來(lái)則是2nm工藝。臺積電計劃未來(lái)三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱(chēng)2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預期的要好。實(shí)際上臺積電的2nm工藝沒(méi)有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據臺積電的說(shuō)法，2nm工藝節點(diǎn)上，他們也會(huì )放棄FinFE
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臺積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁
- 近期臺積電（TSMC）和蘋(píng)果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破?！ ∧壳笆謾C開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進(jìn)的N5P節點(diǎn)工藝制造，預計蘋(píng)果將在2021年占據臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問(wèn)題?！ ccftech報道，為了更好地達成這些目標，臺積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標而努力，不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果，還有英特爾。臺
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臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年，天字一號代工廠(chǎng)臺積電在新工藝進(jìn)展上簡(jiǎn)直是開(kāi)掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂(lè )觀(guān)預計，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時(shí)延續摩爾定律，繼續挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺積電預計，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶(hù)都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺積
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臺積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒(méi)問(wèn)題
- 一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。據臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構，臺積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構，研發(fā)進(jìn)度超前。據悉，臺積電去年成立了2nm專(zhuān)案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)?？剂砍杀?、設備相容、技術(shù)成熟及效能表現等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構，解決FinFET因制程微
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臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據 wccftech 報道，臺灣半導體制造公司（TSMC）在 2nm 半導體制造節點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設備構建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱(chēng)為多橋溝道場(chǎng)效應（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設計的補充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設計用于其晶體管而不
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2nm!介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條2nm!!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對2nm!的理解，并與今后在此搜索2nm!的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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