碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

晶體管分類(lèi)有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來(lái)自公眾號：8號線(xiàn)攻城獅，主要介紹了晶體管分類(lèi)，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線(xiàn)性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線(xiàn)鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

集中供電電源的設計與實(shí)現*

用于消防控制系統的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過(guò)半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實(shí)現主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗證。驗證結果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠實(shí)現不間斷供電及電池充電功能，滿(mǎn)足消防控制系統供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓撲充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

通過(guò)節省時(shí)間和成本的創(chuàng )新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著(zhù)電子系統變得越來(lái)越密集并且互連程度越來(lái)越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進(jìn)度，浪費大量時(shí)間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問(wèn)題。開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 是現代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線(xiàn)性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET) 的開(kāi)關(guān)會(huì )產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來(lái)自不連續的輸入電流、開(kāi)關(guān)節
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng )新，助力工業(yè)自動(dòng)化升級

工業(yè)自動(dòng)化簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)指從人力制造轉向機器人制造，涉及信息物理系統(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現經(jīng)濟增長(cháng)和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執行某些任務(wù)時(shí)的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動(dòng)化提供全面的高能效創(chuàng )新的半導體方案。其中，機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動(dòng)化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無(wú)刷直流電機(BLDC)控制器實(shí)現BLDC電機控制，如高
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功率半導體－馬達變頻器內的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長(cháng)一倍。隨著(zhù)對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來(lái)提升驅動(dòng)馬達用電效率的需求將會(huì )越來(lái)越顯著(zhù)。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器功率半導體英飛凌

以中國帶動(dòng)世界意法半導體搶占新能源汽車(chē)制高點(diǎn)

意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。作為意法半導體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車(chē)的車(chē)輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
關(guān)鍵字：意法半導體 SiC BMS

功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見(jiàn)

2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會(huì )展中心圓滿(mǎn)落幕，展會(huì )與第九屆中國電子信息博覽會(huì )（CITE2021）同期舉辦，現場(chǎng)有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬(wàn)件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí)，博覽會(huì )期間還舉辦了近100場(chǎng)同期活動(dòng)，吸引了超過(guò)10萬(wàn)名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)，500余萬(wàn)觀(guān)眾線(xiàn)上觀(guān)展。據主辦方介紹，展會(huì )以“創(chuàng )新驅動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會(huì )議和現場(chǎng)活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng)，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。亮點(diǎn)一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎
關(guān)鍵字： MOSFET

碳化硅技術(shù)如何變革汽車(chē)車(chē)載充電

日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見(jiàn)在加速全球電動(dòng)汽車(chē)(EV)的發(fā)展。這為車(chē)載充電器(OBC)帶來(lái)在未來(lái)幾年巨大的增長(cháng)空間，根據最近的趨勢，到2024年的復合年增長(cháng)率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車(chē)，提高系統能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰。用于單相輸入交流系統的簡(jiǎn)單功率因數校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個(gè)傳統的單通道升壓轉換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器，以增加負載的功率因數，從
關(guān)鍵字： MOSFET PFC

Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車(chē)級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過(guò)AEC-Q101認證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車(chē)應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線(xiàn)結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車(chē)級M
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72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線(xiàn)轉換器尺寸銳減 50%

背景資訊大多數中間總線(xiàn)轉換器 (IBC) 使用一個(gè)體積龐大的電源變壓器來(lái)提供從輸入至輸出的隔離。另外，它們一般還需要一個(gè)用于輸出濾波的電感器。此類(lèi)轉換器常用于數據通信、電信和醫療分布式電源架構。這些 IBC 可由眾多供應商提供，而且通?？煞胖糜跇I(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內。典型的 IBC 具有一個(gè) 48V 或 54V 的標稱(chēng)輸入電壓，并產(chǎn)生一個(gè)介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線(xiàn)電壓用作負載點(diǎn)穩壓器的輸入，將負責給 FP
關(guān)鍵字： MOSFET IBC

意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅動(dòng)電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿(mǎn)足SiC MOSFET開(kāi)關(guān)管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動(dòng)電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過(guò)多的耗散功率。這款驅動(dòng)器有雙兩個(gè)輸入引腳，讓設計人員可以定義柵極驅動(dòng)信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動(dòng)輸出之間設計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動(dòng)能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅動(dòng)裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機
關(guān)鍵字： MOSFET UVLO

電機驅動(dòng)系統：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

1? ?電機驅動(dòng)系統的關(guān)鍵是可靠性和能效電機在現代生活中無(wú)處不在，從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車(chē)、工廠(chǎng)和基礎設施。根據國際能源署 (International Energy Agency) 的數據，電機占全球總電力消耗的45％，因此電機驅動(dòng)電子設備的可靠性和能效會(huì )對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動(dòng)化和機器人是電機最重要的應用之一，隨著(zhù)傳統機器人、協(xié)作機器人和自主移動(dòng)機器人的采用，我們看到工廠(chǎng)和其他設施變得更加自動(dòng)化。一種提高電機驅動(dòng)系統能效的方法是，以基于三相
關(guān)鍵字： MOSFET IPM 202103

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

近年來(lái)，諧振變換器的熱度越來(lái)越高，被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場(chǎng)景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現高能效，其固有的較寬的軟開(kāi)關(guān)范圍很容易實(shí)現高頻開(kāi)關(guān)，這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著(zhù)重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
關(guān)鍵字： MOSFET IC