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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
碳化硅基板及磊晶成長(cháng)領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)
- 由于5G、電動(dòng)車(chē)、高頻無(wú)線(xiàn)通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿(mǎn)足傳統硅基半導體所不能滿(mǎn)足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導體大廠(chǎng)，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠(chǎng)Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠(chǎng)則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 寬能隙半導體
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著(zhù)節能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
東芝為電動(dòng)助力轉向打造電機驅動(dòng)系統核心
- 隨著(zhù)汽車(chē)電氣和電子系統設計日趨復雜化，汽車(chē)電子系統的安全性逐漸成為消費者與廠(chǎng)商衡量新一代汽車(chē)產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車(chē)功能是否安全，如何減少、規避駕駛過(guò)程中遇到的各類(lèi)風(fēng)險，如何做到汽車(chē)功能安全等問(wèn)題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車(chē)功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統故障而導致的不合理風(fēng)險。由于電子控制器失效的可預見(jiàn)性非常低，為了保證即使出現部分電子器件故障，汽車(chē)系統也能在短期（故障容錯時(shí)間內）內安全運行，需要進(jìn)行功能安全防護。
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET
碳化硅用于電機驅動(dòng)
- 0? ?引言近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(cháng)，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動(dòng)的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來(lái)越多的應用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進(jìn)行了輸出功率和開(kāi)關(guān)頻率比較。前言隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿澤開(kāi)始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線(xiàn)包括高度可靠的汽車(chē)級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽(yáng)能系統和ESS應用的快速開(kāi)關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統（ESS）這樣的快速開(kāi)關(guān)應用，還有助于提高太陽(yáng)能系統的額定功率和能效，并可滿(mǎn)足對1500 V DC-link太陽(yáng)能系統與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專(zhuān)為在整個(gè)功率因數（cos φ）范
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證
- 空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電
- 關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU
安森美半導體在A(yíng)PEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強其用于充滿(mǎn)挑戰的電動(dòng)車(chē) (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng)，必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò )，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
- 關(guān)鍵字： MOSFET
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
- 英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門(mén)式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開(kāi)式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中，采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統的開(kāi)/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩地運轉，同時(shí)也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
- 關(guān)鍵字： 三星 MOSFET 英飛凌
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅動(dòng)高壓功率MOSFET的柵極，這類(lèi)MOSFET用于實(shí)現隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開(kāi)始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執行開(kāi)／關(guān)控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學(xué)器件但不具有用于執行開(kāi)關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時(shí)，通過(guò)將光伏耦合器與MOSFET結合使用，便
- 關(guān)鍵字： MOSFET SSR
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應用實(shí)現更高功率密度
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
- 關(guān)鍵字： Nexperia 低RDS(on) MOSFET
SiC大戰拉開(kāi)帷幕，中國勝算幾何
- 近些年，隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)以及其他系統的增長(cháng)，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節20%，封裝測試環(huán)節5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰非常大。所以大多數企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買(mǎi)襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
電子工程師必備！40個(gè)模擬電路小常識
- 隨著(zhù)半導體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門(mén)很基礎的課，對于學(xué)生來(lái)說(shuō)，獲得電子線(xiàn)路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習電子技術(shù)打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線(xiàn)反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線(xiàn)就顯得異常重要。2. 穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
- 關(guān)鍵字： 模電 三極管 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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