通過(guò)節省時(shí)間和成本的創(chuàng )新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著(zhù)電子系統變得越來(lái)越密集并且互連程度越來(lái)越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統設計考慮因素。

鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進(jìn)度，浪費大量時(shí)間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問(wèn)題。

開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 是現代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線(xiàn)性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET) 的開(kāi)關(guān)會(huì )產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來(lái)自不連續的輸入電流、開(kāi)關(guān)節點(diǎn)上的快速壓擺率以及由電源環(huán)路中寄生電感引起的開(kāi)關(guān)邊沿額外振鈴。

下頁(yè)圖 1 以降壓轉換器拓撲為例，說(shuō)明了不同頻帶下各個(gè)因素的影響。隨著(zhù)設計壓力不斷提升，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低尺寸和成本，以及通過(guò)增大壓擺率來(lái)提高效率，使 EMI 問(wèn)題變得更加嚴重。因此，有必要采用不影響電源設計、同時(shí)具有成本效益且易于集成的 EMI 緩解技術(shù)。

什么是 EMI?

在要求電磁兼容性（EMC）的系統中，設計時(shí)應降低干擾源組件的干擾性和易受干擾的組件的敏感性。當終端設備制造商集成來(lái)自不同供應商的組件時(shí)，確保具有干擾性的組件和易受干擾的電路能夠互不影響的唯一方法是建立一套共同的規則，其中，具有干擾性的組件的干擾性被限制在一定范圍之內，使得易受干擾的電路能夠在此范圍內降低影響。

這些規則是根據業(yè)界通用規范（如適用于汽車(chē)行業(yè)的國際無(wú)線(xiàn)電干擾特別委員會(huì ) (CISPR) 25 和適用于多媒體設備的 CISPR 32）建立的。CISPR 標準決定了任何 EMI 緩解技術(shù)的最終性能，因此對于 EMI設計至關(guān)重要。由于SMPS是典型的電磁干擾源，因此本白皮書(shū)的重點(diǎn)是討論如何減少此類(lèi)干擾。

除了解給定應用的相應標準之外，了解如何測量 EMI 也很重要，這將幫助您深入了解如何降低 EMI。EMI 測量通常分為傳導 EMI 測量和輻射EMI 測量，顧名思義，這同時(shí)說(shuō)明了 EMI 的測量方法和產(chǎn)生機理。盡管傳導發(fā)射通常與較低的頻率 (<30MHz) 相關(guān)，輻射發(fā)射通常與較高的頻率(>30MHz) 相關(guān)，但這兩者之間的區別并不是那么簡(jiǎn)單，因為傳導頻率范圍和輻射頻率范圍有所重疊。

傳導發(fā)射測量旨在量化從器件產(chǎn)生并返回到其電源的 EMI。對于許多應用而言，降低這些發(fā)射至關(guān)重要，因為同一電源線(xiàn)通常都連接著(zhù)許多其他敏感電路。在現代汽車(chē)中，長(cháng)線(xiàn)束的數量不斷增加，因此降低長(cháng)線(xiàn)束的傳導 EMI 尤為重要。

圖 2 顯示了用于傳導發(fā)射的通用測試設置，包括電源、線(xiàn)路阻抗穩定網(wǎng)絡(luò ) (LISN)、EMI 接收器、電源線(xiàn)和被測器件 (DUT)。LISN 扮演著(zhù)關(guān)鍵角色，可充當低通濾波器，確保 EMI 測量的可重復性和可比性，并為 DUT 提供精確的阻抗。圖 2 還說(shuō)明了將傳導發(fā)射細分為共模 (CM) 電流和差模 (DM)電流。DM 電流在電源線(xiàn)與其返回路徑之間流動(dòng)，是較低頻率范圍內的主要因素。CM 電流在每條電源線(xiàn)與接地之間流動(dòng)，是較高頻率范圍內的主要因素。

輻射 EMI 測量的設置與傳導 EMI 測量類(lèi)似，主要區別在于前者的 EMI 接收器不是直接連接到 LISN，而是連接到附近的天線(xiàn)。SMPS 中的輻射能量來(lái)自產(chǎn)生磁場(chǎng)的快速瞬態(tài)電流環(huán)路以及產(chǎn)生電場(chǎng)的快速瞬態(tài)電壓表面。由于產(chǎn)生輻射磁場(chǎng)的電流環(huán)路也產(chǎn)生 DM 傳導發(fā)射，并且產(chǎn)生輻射電場(chǎng)的電壓表面也產(chǎn)生 CM 傳導發(fā)射，因此許多 EMI 緩解技術(shù)都可以降低傳導發(fā)射和輻射發(fā)射，但可能專(zhuān)門(mén)針對其中一項。

通常，通過(guò)大型無(wú)源濾波器來(lái)緩解較低頻率的發(fā)射，會(huì )增加解決方案的電路板面積和成本。高頻發(fā)射在測量、建模和緩解方面面臨著(zhù)不同的挑戰，這主要是其寄生性質(zhì)導致的。常見(jiàn)的高頻發(fā)射緩解技術(shù)包括控制壓擺率和減小寄生效應。圖 3 總結了本白皮書(shū)中包含的緩解技術(shù)、這些技術(shù)適用的頻帶以及 CISPR 25 標準中的頻率范圍示例。

降低 EMI 的常規方法（面向低頻和高頻范圍)

當其他系統共享公共物理觸點(diǎn)時(shí)，由 SMPS 中不連續電流產(chǎn)生的輸入電壓紋波可能會(huì )傳導到這些系統中。如果沒(méi)有適當的緩解措施，那么過(guò)大的輸入或輸出電壓紋波可能會(huì )影響電源、負載或相鄰系統的運行。過(guò)去，您可以使用基于無(wú)源電感電容器(LC) 的 EMI 濾波器來(lái)顯著(zhù)減小輸入紋波，如圖 4所示。LC 濾波器可提供滿(mǎn)足 EMI 規格所必需的衰減。代價(jià)是會(huì )使系統的尺寸和成本增大（具體取決于所需的衰減），這將降低總功率密度。此外，用于輸入 EMI 濾波器設計的大型電感器會(huì )因其自諧振頻率較低而在高于 30MHz 的頻率范圍內無(wú)法衰減，從而需要鐵氧體磁珠等附加組件處理高頻衰減。

緩解 EMI 的另一種傳統方法是使用擴頻（或時(shí)鐘抖動(dòng)）來(lái)調制 SMPS 的開(kāi)關(guān)頻率，這將降低與基本開(kāi)關(guān)頻率及其諧波相關(guān)的頻譜峰值，但代價(jià)是使本底噪聲增大，如圖 5 所示。

擴頻是一項有吸引力的技術(shù)，因為它易于實(shí)現并且您可以將其與其他 EMI 降低方法結合使用。但該技術(shù)不是萬(wàn)靈藥，因為它只能相對降低現有的 EMI，并且根據其特性，其性能會(huì )在開(kāi)關(guān)頻率較低時(shí)降低。此外，您通常只能將擴頻應用于單個(gè)頻帶，原因將在下一節中說(shuō)明。

為了更大程度地減小濾波電感器的尺寸，您可以為 SMPS 設計選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率。不過(guò)，對于切換器操作，需避免使用敏感頻帶。例如，以前汽車(chē)電源解決方案的推薦開(kāi)關(guān)頻率一直處于 AM 以下頻帶（約 400kHz）。通過(guò)選擇較高的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)顯著(zhù)減小電感器尺寸，意味著(zhù)您必須避開(kāi)整個(gè) AM 頻帶（525kHz 至 1,705kHz），從而在更嚴格的汽車(chē)EMI 頻帶上不會(huì )產(chǎn)生基本的開(kāi)關(guān)雜散。

德州儀器 (TI) 開(kāi)關(guān)轉換器的開(kāi)關(guān)頻率高于1.8MHz，可以滿(mǎn)足 EMI 頻帶的要求。為降低開(kāi)關(guān)損耗而提高開(kāi)關(guān)頻率的措施對開(kāi)關(guān)轉換上升和下降時(shí)間的要求更為嚴格。不過(guò)，具有很短上升和下降時(shí)間的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)即使在接近第 100 次諧波的高頻率下，也能保持較高的能量（如圖 6 所示），這再次突出了高效率與低 EMI 之間的權衡。

由于直流/直流轉換器的電源路徑中存在寄生電感，因此高壓擺率還會(huì )導致高頻率開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴，這進(jìn)一步增加了振鈴頻率及更高頻率下的發(fā)射。下頁(yè)圖 7 顯示了壓擺率和開(kāi)關(guān)節點(diǎn)相關(guān)振鈴如何影響發(fā)射。限制由開(kāi)關(guān)轉換引起的 EMI 發(fā)射的傳統方法是，通過(guò)在開(kāi)關(guān)器件的柵極驅動(dòng)路徑中特意添加電阻來(lái)降低 EMI 發(fā)射的速度。這導致轉換發(fā)生得更慢，從而使發(fā)射更快地滾降，并且使發(fā)射在振鈴頻率下降低 8 至 10dB。不過(guò)，這種開(kāi)關(guān)邊沿的減慢會(huì )導致開(kāi)關(guān)轉換器的峰值電流效率降低 2% 至3%。

降低低頻發(fā)射的創(chuàng )新技術(shù)

讓我們來(lái)看看 TI 在構建其轉換器和控制器時(shí)使用的幾種技術(shù)，這些技術(shù)可在效率、EMI、尺寸和成本之間實(shí)現基本平衡。

擴頻

擴頻技術(shù)利用能量守恒原理，通過(guò)將能量分散在多個(gè)頻率上來(lái)減小 EMI 峰值。然而，敏感電路“面臨”的峰值能量可能不會(huì )降低；它取決于敏感電路帶寬和頻率調制方式之間的關(guān)系。測量EMI時(shí)，頻譜分析器屬于敏感電路，而工業(yè)標準規定了分辨率帶寬 (RBW)。因此，以更有效的方式根據實(shí)際標準調制頻率非常重要。一般的經(jīng)驗是，使調制頻率fm 約等于目標 RBW，擴展帶寬 ΔfC 約為 ±5% 至±10%。圖 8 在時(shí)域和頻域中說(shuō)明了這些參數。

CISPR 25 等標準中通常將 fm 設置在 9kHz 左右以?xún)?yōu)化低頻頻帶，這也恰好在可聞范圍內。為了解決該問(wèn)題，您可以通過(guò)假隨機方式進(jìn)一步實(shí)施三角調制，從而傳播可聞能量，同時(shí)不會(huì )對傳導和輻射 EMI 性能造成重大影響。下頁(yè)圖 9 在時(shí)域和頻域中說(shuō)明了該調制曲線(xiàn)，這是同步降壓/升壓轉換器TPS55165-Q1 的一個(gè)特性。

EMI 不限于單個(gè)頻帶（因此不限于單個(gè) RBW），而是存在于多個(gè)頻帶中，這就帶來(lái)一個(gè)困境，因為擴頻通常只針對單個(gè)頻帶進(jìn)行改善。一種稱(chēng)為雙隨機擴頻 (DRSS) 的數字擴頻技術(shù)為這個(gè)問(wèn)題帶來(lái)了新的解決方案。DRSS 的基本原理是疊加兩條調制曲線(xiàn)，每條曲線(xiàn)針對不同的 RBW。

圖 10 顯示了時(shí)域中的 DRSS 調制曲線(xiàn)，其中的三角形包絡(luò )針對較低的 RBW，而疊加的假隨機序列針對較高的 RBW。

圖 11 顯示了非同步升壓控制器 LM5156-Q1（采用 DRSS 和不采用 DRSS）的傳導發(fā)射性能。您可以看到 150kHz 至 30MHz 頻帶以及 30MHz 至108MHz 頻帶（這是 CISPR 25 汽車(chē)標準的兩個(gè)關(guān)鍵頻帶）中的頻譜峰值都大大降低了。LM5157-Q1非同步升壓轉換器也采用了 DRSS 并實(shí)現了相似的性能。

擴頻技術(shù)適用于非隔離式和隔離式拓撲，因為兩者的 EMI 源相似，擴頻可提供相同的優(yōu)勢。具有集成變壓器的 UCC12040 和 UCC12050 隔離式直流/直流轉換器能夠滿(mǎn)足 CISPR 32 B 類(lèi) EMI 測試限制要求，部分原因是采用了內部擴頻技術(shù)。

有源 EMI 濾波

為了顯著(zhù)改善低頻頻譜中的發(fā)射，LM25149-Q1 降壓控制器采用了有源 EMI 濾波方法。集成有源 EMI濾波器 通過(guò)充當有效的低阻抗分流器，可降低輸入端的 DM 傳導發(fā)射。圖 12 顯示了降壓控制器的有源 EMI 濾波器如何連接到輸入線(xiàn)。感應和注入引腳通過(guò)各自的電容器連接到輸入端。有源 EMI 濾波器塊中的有源元件會(huì )放大感應到的信號，并通過(guò)注入電容器注入適當的反極性信號來(lái)顯著(zhù)降低輸入線(xiàn)上的總體干擾。這減輕了所需無(wú)源元件的過(guò)濾負擔，從而減小了這些元件的尺寸、體積和成本。

圖 13 顯示了在 400kHz 開(kāi)關(guān)頻率下工作的降壓轉換器的 EMI 測量結果，其中比較了有源和無(wú)源 EMI濾波方法。為了有效滿(mǎn)足 CISPR 25 5 類(lèi)頻譜屏蔽要求，無(wú)源 EMI 濾波器需要一個(gè) 3.3μH DM 電感器和一個(gè) 10μF DM 電容器。有源濾波方法通過(guò)一個(gè)僅 1μH 的 DM 電感器以及 100nF 的感應和注入電容器，可實(shí)現同樣有效的衰減。這有助于將無(wú)源濾波器的尺寸和體積分別減小到原始值的 43% 和27% 左右。對于大電流轉換器，可以通過(guò)降低電感器直流電阻來(lái)進(jìn)一步降低成本和提高效率。

消除繞組

與非隔離式轉換器不同，跨越隔離邊界的額外發(fā)射路徑是導致隔離式轉換器共模 (CM) EMI 的主要原因。下頁(yè)圖 14 顯示標準反激式轉換器中的隔離變壓器存在寄生電容。CM 電流可通過(guò)與每個(gè)開(kāi)關(guān)節點(diǎn)關(guān)聯(lián)的寄生電容從初級側直接流入大地。CM 電流還由于繞組之間的寄生電容而從初級側流至次級側，從而導致測量的 CM EMI 增大。通常，您可以通過(guò)在輸入電源路徑中使用較大的 CM 扼流圈來(lái)降低這種額外的干擾。

為了幫助更大程度地減小無(wú)源濾波器件的尺寸，用于高功率密度 5V 至 20V 交流/直流適配器且采用硅 FET 的 65W 有源鉗位反激式參考設計針對隔離式轉換器采用了消除繞組和屏蔽的方法。如圖 15 所示，一種經(jīng)改進(jìn)的內部變壓器結構在內部初級層和次級層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層（以黑色顯示），以實(shí)現 CM 平衡。輔助 CM 平衡層屏蔽了內部的半初級層與次級層之間的界面，有助于生成消除 CM 電壓，以消除來(lái)自外部半初級層的 CM 注入。通過(guò)均衡從輔助繞組和初級外層到次級層的寄生電容，可幫助消除從外部半初級層注入到次級層的 CM 電流（通過(guò)從消除層注入反相 CM電流）。凈效應（流入次級層的 CM 電流幾乎為零）降低了 CM 發(fā)射，從而使用超少的 CM 濾波器件即可讓設計滿(mǎn)足 EMI 頻譜標準要求。

降低高頻發(fā)射的創(chuàng )新技術(shù)

到目前為止，我們介紹的 EMI 緩解技術(shù)通?？梢詼p低低頻發(fā)射 (<30MHz)，同時(shí)相應地減少了所需的無(wú)源濾波量，以及相關(guān)的尺寸、體積和成本?，F在，讓我們來(lái)看看旨在緩解高頻發(fā)射 (>30MHz) 的技術(shù)。

HotRod? 封裝

降低高頻發(fā)射的主要方法之一是更大程度地減小電源環(huán)路電感。TI 提供的 LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1 和LM61460-Q1 等降壓轉換器從鍵合線(xiàn)封裝改用基于引線(xiàn)框的倒裝芯片 (HotRod) 封裝，有助于降低電源環(huán)路電感，進(jìn)而降低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴。

HotRod 封裝翻轉硅片并將其直接放置在引線(xiàn)框上，從而更大程度地減小由運行開(kāi)關(guān)電流的引腳上的鍵合線(xiàn)引起的寄生電感。圖 16 顯示了 HotRod封裝的結構和優(yōu)勢。除改善電源環(huán)路電感之外，HotRod 式封裝還有助于降低電源路徑中的電阻，從而提高效率并減小解決方案尺寸。

采用 HotRod 封裝器件的另一項優(yōu)勢是，這些器件易于實(shí)現并行輸入路徑引腳排列（直流/直流轉換器輸入電容器的布局布置）。通過(guò)優(yōu)化直流/直流轉換器的引腳排列使輸入電容器的布局對稱(chēng)，輸入電源環(huán)路產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)就會(huì )處于對稱(chēng)環(huán)路中，從而更大程度地降低對附近系統的發(fā)射。并行輸入路徑可進(jìn)一步降低高頻 EMI，尤其是在更嚴格的 FM 頻帶中，如下頁(yè)圖 17 所示。

增強型 HotRod? QFN

增強型 HotRod 四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝可提供HotRod 封裝的所有 EMI 降低功能，并且具有開(kāi)關(guān)節點(diǎn)電容更低的額外優(yōu)勢，從而更大程度降低了振鈴。與 HotRod 封裝相比，在采用增強型 HotRodQFN 封裝的器件中，輸入電壓 (VIN) 和接地 (GND)引腳上的寄生電阻器-電感器-電容器 (RLC) 值也更低。

LM60440-Q1 降壓轉換器采用了增強型 HotRodQFN 封裝，下頁(yè)圖 18 顯示了其引腳排列和電路板布局布線(xiàn)。增強型 HotRod QFN 封裝不僅提高了效率，而且其封裝中心具有一個(gè)大型的裸片附接焊盤(pán) (DAP)。與 HotRod 封裝相比，DAP 有助于改善 PCB 散熱，并將結溫的上升降低 15% 以上。此外，VIN、GND 和開(kāi)關(guān)節點(diǎn)引腳上較低的 RLC 寄生效應還可以提高效率并降低 EMI。如預期的那樣，這會(huì )產(chǎn)生更低的 EMI，尤其是在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴頻帶附近，如下頁(yè)圖 19 所示。

集成式輸入旁路電容器

如前所述，由于更高的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴，較大的輸入電源環(huán)路會(huì )導致在高頻頻帶上產(chǎn)生更高的發(fā)射。在器件封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于更大程度地降低輸入環(huán)路寄生效應，從而降低 EMI。降壓轉換器 LMQ62440-Q1 中采用了該技術(shù)，如下頁(yè)圖 20 所示。除了減小輸入電源環(huán)路電感之外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使該解決方案不易受終端系統電路板布局布線(xiàn)變化的影響。

下頁(yè)圖 21 比較了 LMQ62440-Q1 在集成和未集成旁路電容器情況下的輻射 EMI（在相同電路板、相同條件下）。結果表明，更嚴格的電視頻帶（200至 230MHz）中的發(fā)射降低了 9dB，這有助于系統保持在行業(yè)標準設置的 EMI 限制范圍內，而無(wú)需在板上添加額外的組件。

有效的壓擺率控制

盡管有上述技術(shù)，但在某些設計中，高頻EMI（60MHz 至 250MHz）可能仍會(huì )超出指定的標準限制。緩解和提高裕度以滿(mǎn)足行業(yè)標準要求的一種方法是，使用一個(gè)電阻器與開(kāi)關(guān)轉換器的自舉電容器串聯(lián)。使用電阻器可以降低開(kāi)關(guān)邊沿的壓擺率，從而降低 EMI，但也會(huì )降低效率。

LM61440-Q1 和 LM62440-Q1 等開(kāi)關(guān)轉換器可以在開(kāi)啟期間使用電阻器來(lái)選擇高側 FET 驅動(dòng)器的強度。如下頁(yè)圖 22 所示，通過(guò) RBOOT 引腳（青色虛線(xiàn)環(huán)路）消耗的電流成倍增加并通過(guò) CBOOT（紅色虛線(xiàn)）消耗，以開(kāi)啟高側功率MOSFET。

這樣，該電阻器就可以控制壓擺率，但不會(huì )遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器消耗大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。RBOOT 與 CBOOT 發(fā)生短路時(shí)，上升時(shí)間很短；直到高于 150MHz 時(shí)，開(kāi)關(guān)節點(diǎn)諧波才會(huì )滾降。如果 CBOOT 和 RBOOT 通過(guò) 700Ω 的電阻器保持連接，則在將 13.5V 轉換為 5V 時(shí)，轉換時(shí)間增加到 10ns。該較長(cháng)的上升時(shí)間使開(kāi)關(guān)節點(diǎn)諧波中的能量在大多數情況下都能在 50MHz 附近滾降。

EMI 建模功能

對任何電路進(jìn)行建模是早期評估設計性能的重要方法，因此在縮短設計周期中起著(zhù)至關(guān)重要的作用。EMI 建模是一個(gè)復雜的過(guò)程，涉及 PCB 的時(shí)域電路分析和頻域電磁仿真。對 EMI 發(fā)射進(jìn)行建?？梢詼p少設計迭代次數，從而能夠更輕松、更快速地滿(mǎn)足 EMI 標準限制要求。讓我們來(lái)看看您在進(jìn)行 EMI 建模時(shí)可以使用的一些選項。

采用 WEBENCH^? 設計工具的低頻 EMI 設計

WEBENCH 輸入濾波器設計工具可幫助您自動(dòng)設計合適的輸入濾波器，以緩解低頻 (<30MHz) 傳導EMI 噪聲，從而滿(mǎn)足 CISPR 32 和 CISPR 25 等合規性標準的要求。該工具可優(yōu)化濾波器尺寸，同時(shí)確保設計符合特定標準的要求。在設計濾波器時(shí)，該工具可確保濾波器穩定性和轉換器環(huán)路穩定性。

該在線(xiàn)工具支持 100 種以上的 TI 電源器件。不對輸入 EMI 濾波器電感器進(jìn)行抑制是一種常見(jiàn)的錯誤，這會(huì )對總體設計穩定性產(chǎn)生負面影響。WEBENCH 設計工具 對輸入濾波器和 SMPS進(jìn)行阻抗分析（如下頁(yè)圖 23 所示），并推薦合適的抑制組件以確保穩定性。

數據表中發(fā)布的傳導和輻射 EMI 結果

SMPS 器件評估模塊已針對更嚴格的工業(yè)和汽車(chē)EMI 標準進(jìn)行了測試，其結果發(fā)布在數據表中，以幫助您提前了解器件的 EMI 性能。您可以通過(guò)單擊器件數據表第一頁(yè)中的“針對超低 EMI 要求進(jìn)行了優(yōu)化”來(lái)訪(fǎng)問(wèn)詳細的 EMI 報告。LM62440-Q1 數據表中的 EMI 報告包含適用于 CISPR 25 5 類(lèi)傳導和輻射設置的完整數據。

此外，TI 還可以在內部執行系統級 EMI 建模和測量，以幫助您驗證 EMI 性能并縮短周期。

結束語(yǔ)

電子產(chǎn)品的快速發(fā)展為電源轉換器的設計帶來(lái)了巨大的壓力，復雜的系統需要裝入電源轉換器越來(lái)越小的空間。各個(gè)敏感系統彼此靠近，難以抑制EMI。在設計電源轉換器必須格外小心，以符合標準機構規定的限制，從而確保關(guān)鍵系統可以在充滿(mǎn)噪聲的環(huán)境中安全運行。

低 EMI 設計可以顯著(zhù)縮短開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)還可以減小電路板面積并降低解決方案成本。TI 提供了多種用于緩解 EMI 的功能和技術(shù)，例如擴頻、有源 EMI濾波、消除繞組、封裝創(chuàng )新、集成輸入旁路電容器和有效的壓擺率控制等方法。

將技術(shù)與 TI 的 EMI 優(yōu)化型電源管理器件相結合，可確保采用 TI 組件的設計能夠符合行業(yè)標準要求，且無(wú)需大量返工。利用 TI 產(chǎn)品，您能夠保持在終端設備 EMI 限制范圍之內，而不會(huì )降低功率密度或效率。