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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
SiC在電動(dòng)汽車(chē)的功率轉換中扮演越來(lái)越重要的角色
- 1? ?中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)的需求特點(diǎn)首先，中國的電動(dòng)化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng )新力旺盛，而且直接從傳統汽車(chē)向新能源汽車(chē)過(guò)渡，沒(méi)有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問(wèn)題。相比歐美，新興的中國車(chē)企更期待新能源汽車(chē)。在中國，功率轉換系統在汽車(chē)中的應用非常廣泛，這就是為什么ST專(zhuān)注于與中國客戶(hù)合作開(kāi)發(fā)電源管理系統。ST汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部大眾市場(chǎng)業(yè)務(wù)拓展負責人公司戰略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) SiC
照明的光明未來(lái)
- 要有（電）燈！但誰(shuí)負責點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱(chēng)自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專(zhuān)利[[1]]。除了細絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數住宅和商業(yè)設施中
- 關(guān)鍵字： MOSFET
三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線(xiàn)
- 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著(zhù)中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來(lái)越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： GaN FET SiC
占空比的上限
- 開(kāi)關(guān)穩壓器使用占空比來(lái)實(shí)現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(cháng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
- 關(guān)鍵字： CCM TON MOSFET
iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢
- 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實(shí)現更高的電流操作，從
- 關(guān)鍵字： MOSFET
應用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設計考慮因素
- 開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負載瞬態(tài)響應。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著(zhù)與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達幾MHz。每個(gè)設計的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實(shí)現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
- 關(guān)鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC
宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準
- 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統、DC/DC轉換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機械人及無(wú)人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
- 關(guān)鍵字： MOSFET QRR QG
應用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎知識
- 為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線(xiàn)性模式下運行。這意味著(zhù)，當晶體管導通并傳導電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線(xiàn)性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪?shí)現90%以上的效率，而線(xiàn)性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著(zhù)功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)（EV）數量的增加，對創(chuàng )建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長(cháng)，如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比，新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
UnitedSiC與益登科技簽署分銷(xiāo)協(xié)議
- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷(xiāo)商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車(chē)、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長(cháng)應用領(lǐng)域的客戶(hù)提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起，急需采用能夠實(shí)現新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
- 關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車(chē)
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備，可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品
- 1 無(wú)線(xiàn)基站羅姆（ROHM）針對無(wú)線(xiàn)基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導通
- 關(guān)鍵字： 耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線(xiàn)長(cháng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì )影響光源的驅動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對實(shí)現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
- 關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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